杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：陈杰智; 施毅; 濮林; 刘明; 郑有炓 刊期：2006年第04期
在介绍纳电子器件基本输运理论基础上，着重分析量子点结构器件模型，讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况，以及电子自旋的影响，特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。
作者：李凯; 叶小玲; 金鹏; 王占国 刊期：2006年第04期
在分子束外延系统中，利用3nm GaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖，然后在500℃以及As2气氛中退火一分钟，制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In—Ga互混控制着InAs量子环的形成。
作者：王伟; 孙建平; 顾宁 刊期：2006年第04期
运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳米MOS器件。使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等元素对栅极电流的影响。结果显示，为最大限度减少MOS器件的栅电流，需要优化介质中氮含量、铝含量。
作者：杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 封强; 郑世奇; 黄永箴 刊期：2006年第04期
用数值方法计算了量子点的各向异性弹性应变场，得到了对应不同各向异性度的量子点弹性应变场的分布云图和沿量子点对称轴横向、纵向应变、静水应变和双轴应变变化曲线图，讨论了各向异性弹性应变场对量子点超晶格生长时的垂直相关性和量子点电子结构的影响。
作者：; 王兵冰; 黄如; 张兴 刊期：2006年第04期
短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用器件和工艺模拟工具ISE—TCAD研究形成Halo结构的工艺参数对器件性能的影响，并进行优化。分析表明，Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比，降低泄漏...
作者：高勇; 张新; 刘梦新; 安涛; 王彩琳; 邢昆山 刊期：2006年第04期
针对目前常规SOI器件高温特性存在的问题，提出了采用等效电容法分析器件自加热效应的新观点，对抑制自加热效应原理进行了新的解析，根据埋层材料的介电常数不同，按等效电容法进行埋层厚度折算。在此基础上，提出了SOI器件的埋层新结构，并从介电常数的角度较好地验证了提出观点的正确性。最后得到，高介电常数等效埋层厚度的减小利于热泄散，...
作者：洪慧; 韩雁 刊期：2006年第04期
功率集成电路要在同一块芯片上集成功率器件和低压电路。由于集成VDMOS器件的漏极也要从芯片表面引出，与常规的VDMOS器件相比其导通电阻计算有很大的差别。文中针对三维立体结构中器件的源胞个数和排列以及芯片表面漏极布局的不同，给出了一种新的3D解析模型，可有效地计算集成VDMOS的导通电阻值，并可预测限定面积下达到最小有效导通电阻值所...
作者：陈兆轶; 方培源; 王家楫 刊期：2006年第04期
CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中，它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察，将对深入了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。
作者：贾高升; 许铭真; 谭长华; 段小蓉 刊期：2006年第04期
应用直接隧道比例差分（DTPDO）谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存。研究结果表明，三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加。三种缺陷的特征产生时间常数...
作者：任迪远; 陆妩; 余学锋; 郭旗; 艾尔肯 刊期：2006年第04期
对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明；在辐照的剂量率范围内，无论是国产还是进口的双极晶体管，都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象，且NPN管比PNP管明显。双极运算放大器的研究结果显示；不同电路间的辐照响应差异很大，对有些电路而肓，剂量率越低，损伤越大。有些电...
作者：许庆; 吴健; 杨磊; 钱峰; 王子良; 戴雷 刊期：2006年第04期
对LTCC埋层电感进行了研究，以研制体积小、低损耗、微波性能好的高密度功放模块。利用商用三维电磁场分析软件HFSS对LTCC集成化功率放大器PA组装和互连中的关键参数进行了仿真和优化。研制出450MHz CDMA手机LTCC功率放大器，增益29．0dB，VSWR为2．0：1，PAE为34％．体积为6mm×6mm×1．2mm。
作者：王玉林 刊期：2006年第04期
介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理，采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD—SCDMA制式用96MHz宽带滤波器，1dB带宽4．8MHz，15dB抑制小于6．4MHz，插入衰耗约12dB，封装为SMD（13．3mm×6．5mm）。
作者：陈勖; 王志功; 李智群; 夏峻 刊期：2006年第04期
基于TSMC0．13μm CMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70Ω的共面波导传输线元件库。采用Short—Open—Load—Thru（SOLT）校准测试技术对片上传输线元件库进行测试。在0．...
作者：刘璐; 王志华; 李国林 刊期：2006年第04期
将Volterra级数用于分析工作于高频，含有源级负反馈电阻的CMOS跨导级的线性度，为了降低计算的复杂性，将CMOS跨导视为两个非线性子系统的级联，计算了跨导的IIP3。使用的MOS管模型考虑了短沟道效应、栅源电容、栅漏电容和输出电阻。并对仿真结果和计算结果进行了比较，测试结果验证了文中的结论。
作者：于海鹰; 崔碧峰; 田增霞; 陈依新; 邹德恕; 刘莹; 沈光地 刊期：2006年第04期
提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器，增大了半导体激光器激射窗口的高度，得到低于20°的垂直发散角，从而显著提高了激光器与光纤的耦合效率。将其与多种形式和规格的透镜光纤进行测试，耦合效率可以提高30％以上。
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