杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：薛舫时 刊期：2005年第04期
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法.它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合带间的能带混合.使用这种方法和简化的有限差分算出了p型半导体量子阱的价带结构和二维空穴气.研究了量子阱中的价带混合、能带扭曲和阱间空穴气的耦合.该方法计算量少,计算结果满足价...
作者：刘金平; 俞云伟; 徐新平; 黄新堂 刊期：2005年第04期
考虑碳纳米管尺寸及端帽形状,计算得到了比较精确的金属型纳米管表面电荷密度相对分布曲线.与先前的理论结果作比较,消除了曲线上的波动,曲线相对抬高,尖端附近电荷量所占比例减小.进一步研究了长度、半径和长径比对电荷密度相对分布曲线的影响,表明长度主要影响管身电荷密度相对分布,半径主要影响尖端电荷密度相对分布.在忽略其他条件影响下,长...
作者：谢可; 陈松岩; 林华传; 张芹; 黄传敬 刊期：2005年第04期
在激光灼蚀(PLD)系统中,采用流动的N2作为环境气体成功制备了尺寸从2纳米到几纳米之间的纳米硅,并在1.60～1.75 eV之间观测到了较强的光致发光谱:结合Raman散射和光致发光谱的分析,推断强光致发光来源于纳米硅的量子效应.
作者：邓咏桢; 孔月婵; 江宁; 郑有炓; 朱顺民; 韩平; 施毅; 张荣 刊期：2005年第04期
用Raman谱和AES能谱分析了用RTP/VLP-CVD方法生长在Si衬底上的SiGeC合金外延薄膜的应变.结果表明:用RTP/VLP-CVD方法生长的SiGeC合金中掺入的C呈间隙原子或替位原子的形式分布,其中大部分为间隙原子,少量为替位C原子,但是替位C原子的存在有效地调节了SiGeC合金层的应变;另外由于采用乙烯做C源,生长温度较高也使SiGeC合金层的应变部分被弛豫.由于...
作者：王华; 任鸣放 刊期：2005年第04期
在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了数值模拟.该模型不但与阈值电压、沟道饱和电流等器件参数相关而且充分反映了剩余极化、矫顽电压等铁电栅介质极化特性对器件ID-VG特性的影响.结果表明:模拟曲线与实验曲线基本一致,能较好地模拟和描述铁电场效应晶...
作者：王洪梅; 刘丕均; 张亚非 刊期：2005年第04期
文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展.概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算.重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算.
作者：胡海蓉; 牛萍娟; 刘宏伟; 郭维廉; 许丹; 于欣; 王文新; 尚勋忠; 吴曙东 刊期：2005年第04期
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元.详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1 V左右,峰谷比大于2∶1.同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好.
作者：李辉; 洪伟; 张斌; 施江伟; 铁宏安 刊期：2005年第04期
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400 μm栅宽、0.5 μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果.
作者：应子罡; 吕昕; 高本庆; 李拂晓 刊期：2005年第04期
将新型算法-退火遗传算法用于GaAsFET大信号等效电路模型参数的提取,给出了具体流程并提取了器件的模型,结果表明该算法快速可靠,文中为提取大信号模型提供了新的方法,并扩展了遗传算法的应用.
作者：吴旭; 陈效建; 李拂晓 刊期：2005年第04期
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式.在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数.模拟所得的器件DC与RF特性充分显示其在功率与低噪声应用上的巨大潜力.验证性的1 μm×200 μm MHEMT取得的fT＝30 GHz、fma...
作者：来萍; 李萍; 张晓明; 李少平; 徐爱斌; 施明哲; 牛付林; 郑廷珪 刊期：2005年第04期
对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布.汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的.在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用...
作者：齐宁华; 徐鸿飞 刊期：2005年第04期
在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟.并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化.根据仿真结果设计的X波段推-推压控振荡器,采用封装硅晶体管及砷化镓变容管,在1 GHz调谐带宽内,输出功率2～8 dBm.
作者：冯倩; 郝跃; 王峰祥 刊期：2005年第04期
对掺杂浓度为1017～1019 cm-3的GaN:Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现:随着Si掺杂浓度的增加,GaN晶粒尺寸逐渐减小,引发更多的螺位错和混合位错致使摇摆曲线的半高宽有所增加,同时薄膜中的剩余应力也逐渐减小.当掺杂浓度高于2.74×1018 cm-3时,薄膜从压力状态转变为张力状态.
作者：尚也淳; 刘忠立; 孙国胜 刊期：2005年第04期
用LPCVD在Si(111)上异质外延了n型3C-SiC,并在所外延的3C-SiC上蒸发Au/Ti,通过不同温度下的RTA(快速热退火)形成欧姆接触.用两种不同的传输线模型对Ti/3C-SiC欧姆接触的ρc(比接触电阻率)进行测量,在750°C退火后Ti/3C-SiC的ρc达到了最低值为3.68×10-5 Ω·cm2,这满足了应用的要求.AES分析结果还表明由于Ti的氧化,更高温度下的退火会使ρc增大.
作者：陈莹梅; 王志功; 赵海兵; 章丽; 熊明珍 刊期：2005年第04期
介绍了利用0.18 μm CMOS工艺实现了应用于光纤传输系统SDH STM-64级别的时钟和数据恢复电路.采用了电荷泵锁相环(CPPLL)结构,CPPLL中的鉴相器能够鉴测相位产生超前滞后逻辑,采样数据具有1∶2分接的功能.振荡器采用全集成LC压控振荡器,鉴相器采用半速率的结构.对应于10 Gb/s的PRBS数据(231-1),恢复出的5 GHz时钟的相位噪声为-112 dBc/Hz@1 MHz,同...
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