杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：颜冲; 于军; 包大新; 陈文洪; 朱大中 刊期：2005年第01期
自旋电子学是上世纪90年代以来飞速发展起来的新兴学科.与传统的半导体电子器件相比,自旋电子器件具有非挥发性、低功耗和高集成度等优点.电子学、光学和磁学的融合发展更有望产生出自旋场效应晶体管、自旋发光二极管、自旋共振隧道器件、THz频率光学开关、调制器、编码器、解码器及用于量子计算、量子通信等装置的新型器件,从而触发一场信息技...
作者：李子军 刊期：2005年第01期
当同时考虑温度和磁场的作用时,应用线性组合算符法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子能量的影响.对GaAs半导体所作的数值计算结果表明,不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的能级分裂为两条.随着磁场的加强,能级分裂得越显著.电子自旋能量与磁极化子能量之比随磁场或温度的增加而增大.
作者：张大伟; 章浩; 余志平; 田立林 刊期：2005年第01期
在亚50 nm的MOSFET中,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其对于阈电压的修正.在此基础上,对沟道方向的子带作了抛物线近似,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型.根据该模型,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系.与数值模拟结果的...
作者：李益欢; 梁惠来 刊期：2005年第01期
用PSpice对一种由串连的RTD和HEMT组成的单稳多稳转换逻辑(MML)电路进行了模拟.基于自行研制的RTD的特性曲线提取了合适的器件模型和参数,分析了由输入信号调节器件的峰值电流来控制器件翻转次序从而在MML电路中实现门函数逻辑的原理并由模拟得以证实.
作者：柯导明; 陈军宁; 时龙兴; 孙伟锋; 吴秀龙; 柯宜京 刊期：2005年第01期
提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压.文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性.
作者：任红霞; 张晓菊; 郝跃 刊期：2005年第01期
基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件MEDICI对深亚微米槽栅PMOS器件的结构参数,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究,并从器件物理机制上对研究结果进行了解释.研究发现,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高,器件的抗热载流子能力增强.而随着衬底掺杂浓度的提高,器件的抗热载流子...
作者：张华林; 任迪远; 陆妩; 崔帅 刊期：2005年第01期
研究了NPN双极晶体管和NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应.研究表明,NPN管在低剂量率辐照下,电流增益衰降更为显著,且具有真正的剂量率效应;而NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小,其辐照效应是时间相关效应,而非真正的剂量率效应.
作者：王翠梅; 王晓亮; 王军喜 刊期：2005年第01期
简要回顾了AlGaN/GaN HEMT器件电流崩塌效应研究的进展,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施.
作者：王平; 杨银堂; 杨燕; 柴常春; 李跃进 刊期：2005年第01期
报道了一种适于模拟n沟4H-SiC MOSFET直流I-V特性的整体模型.该模型充分考虑了常温下SiC中杂质不完全离化以及界面态电荷在禁带中不均匀分布的影响,通过解析求解泊松方程以及牛顿-拉夫森迭代计算表面势,得到了表面电场以及表面势的分布,并以此为基础采用薄层电荷近似,计入栅压引起的载流子迁移率退化效应,导出了可用于所有器件工作区的统一漏电...
作者：刘莉; 杨银堂; 柴常春 刊期：2005年第01期
分析了不同晶面上温度对6H-SiC MOSFET击穿特性的影响.以Si面为例,分析了温度对器件的击穿电压、临界电场、比导通电阻等物理量的影响.根据6H-SiC各向异性的特性,采用张量扩展将其扩展到C面,研究表明虽然在不同的晶面上器件的击穿电压不同,但其随温度的变化趋势是相同的,都具有正温度系数.
作者：蒲红斌; 陈治明; 封先锋; 李留臣 刊期：2005年第01期
采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触,经过800～1 000°C高温退火5分钟后,肖特基整流特性退化为欧姆接触,表现出良好的欧姆接触特性,且随退火温度的提高,接触电阻进一步下降,1 000°C退火后,可获得最低的接触电阻为5.0×10-5 Ω·cm2.
作者：吴海平; 徐静平; 李春霞 刊期：2005年第01期
采用干O2+CHCCl3(TCE)氧化并进干/湿NO退火工艺生长6H-SiC MOS器件栅介质,研究了SiO2/SiC界面特性.结果表明,NO退火进一步降低了SiO2/SiC的界面态密度和边界陷阱密度,减小了高场应力下平带电压漂移,增强了器件可靠性,尤其是湿NO退火的效果更为明显.
作者：龚欣; 张进城; 郝跃 刊期：2005年第01期
提出了一种新型的SiCOI MESFET器件结构,即介质槽隔离SiCOI MESFET.模拟结果表明,新型结构器件与常规平面SiCOI MESFET器件相比,击穿电压得到很大提高,从380 V提高到近1100 V,而饱和漏电流和跨导下降.但通过器件结构的优化设计可以保障在击穿电压提高的同时漏电流和跨导不会发生大的退化.该器件结构为高温、抗辐照和大功率集成电路研制打下基础.
作者：张龙; 朱健; 林立强; 卓敏 刊期：2005年第01期
南京电子器件研究所采用RF、磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于100的BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径BST溅射靶材，用这种靶材制作Pt／BST／Pt薄膜电容，在Si／SiOz衬底上溅射BST，其膜厚典型值280nm。该技术采用了在RF磁控溅射BST时同步加热衬底方法，使衬底温度维持在450～470℃，不再经过其他退火处理。
作者：方杰; 易婷; 迮德东; 郑宇驰; 洪志良 刊期：2005年第01期
在0.6 μm CMOS工艺条件下设计了一种适合DECT(Digital Enhanced Cordless Telephone)标准的1.4 MS/s Nyquist转换速率、14位分辨率模数转换器的ΣΔ调制器.该调制器采用了多位量化的级联型(2-1-14b)结构,通过Cadence SpectreS仿真验证,在采样时钟为25 MHz和过采样率为16的条件下,该调制器可以达到86.7 dB的动态范围,在3.3 V电源电压下其总功耗为76...
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