杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
杂志简介：《固体电子学研究与进展》杂志经新闻出版总署批准，自1981年创刊，国内刊号为32-1110/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学、材料与工艺、研究简讯
作者：齐海涛; 张之圣; 郭维廉 刊期：2004年第04期
实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显著优点,可大大简化集成电路的复杂程度.文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结,对其在单器件逻辑单元、光电逻辑等领域的应用进行了重点介绍,并展望了今后该类器件的研究方向.
作者：陈卫兵; 徐静平; 邹晓; 李艳萍; 赵寄 刊期：2004年第04期
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究,确定栅介质的厚度,然后使用PISCES-Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究.通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑,得出选用k＜50且Tk/L≤0.2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能.
作者：贾云鹏; 王俊; 亢宝位; 张斌 刊期：2004年第04期
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用,实现了硅高压功率P-i-N二极管的局域铂掺杂.经过700 °C、半小时低温退火,在已进行质子辐照的样品中,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散,并形成与质子辐照感生缺陷分布相似的铂的分布.最终,质子辐照缺陷峰附近处的铂浓度将会是缺陷拖尾区中铂浓度的1.5～2倍.与传统扩铂技术...
作者：程旭; 汤庭鳌; 钟宇; 王晓光; 康晓旭 刊期：2004年第04期
根据非挥发逻辑的概念,分析了非挥发逻辑必须满足的条件.根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/2C FeRAM单元结构的相似性,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理.以非挥发CMOS D触发器为例,对非挥发D触发器单元及其电路进行了设计和仿真,给出了基于铁电电容的非挥发逻辑实现的方法.最后,提出了非挥发FPGA的概念,为非挥发逻辑在数字...
作者：石礼伟; 李玉国; 王强; 薛成山; 庄惠照 刊期：2004年第04期
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备金属锌膜,在空气中退火热氧化合成了一维ZnO纳米棒.用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了结构、形貌及光学特性分析.结果表明:ZnO纳米棒为六方纤锌矿结构单晶相,直径在30～60 nm左右,其长度可达5～8 μm左右.在280 nm波长光激发下,有很强的372 nm带边...
刊期：2004年第04期
The 3DA511 device is a high pwoer transistor designed for L-band pulsed output and drive applications.
作者：刘丽月; 赵猛; 张亚非; 徐东 刊期：2004年第04期
以单壁和多壁碳纳米管为材料,采用液面排布转移技术,在经预处理的基底上形成了按一定取向排列的分子层,并对其进行了AFM和Raman偏振谱、紫外-可见光到近红外吸收谱等的分析.结果表明采用这一方法制备的碳管排布层中碳纳米管取向一致,每次转移的厚度一定.因此可通过一层层的转移来控制制作多层排布结构.采用这种工艺,在具有不同电极的基片上沉积...
刊期：2004年第04期
3DA511是用于L波段脉冲输出的大功率晶体管。
作者：李雯; 谭智敏; 刘理天 刊期：2004年第04期
研究了影响三维微机械电感电感值和Q值的主要因素,提出了电感值和Q值的理论计算模型.并利用该模型,对不同尺寸结构的三维微机械电感进行了数值模拟.根据理论计算的结果,得到了电感的优化结构,在2.5 GHz的工作频率下,其电感值为11 nH,Q值为9.
作者：黄聪; 林殷茵; 汤庭鳌 刊期：2004年第04期
推导了单层锆钛酸铅悬臂梁伸缩振动时振幅的表达式,得出振幅与电势差ΔV成正比,与长厚比L/d成正比,与宽度w无关.分类分析了锆钛酸铅悬臂梁弯曲振动的各种模式,通过有限元分析软件ANSYS仿真得出:在相同几何尺寸、相同电压的情况下,"异P同E"的振幅是"异E同P"的振幅的一半,两者的振幅与电势差ΔV成正比,与长厚比(L/d)成平方关系,与宽度w无关.对于"同P...
作者：楼向雄; 骆建军; 程思琪 刊期：2004年第04期
研究设计了一个可重利用、低功耗的精简指令计算机(RISC)中央处理器的知识产权(Intellectual Property)核.该RISC CPU IP核采用单时钟周期、两级流水线、哈佛总线结构.在相同处理速度下,其功耗降低至传统PIC CPU功耗的约1/4.设计的IP核用台湾联华电子(UMC)0.25微米CMOS工艺实现,测试结果验证了文中的理论成果,并成功地实现了该IP核的工业化应用.
作者：易婷; 方杰; 洪志良 刊期：2004年第04期
介绍了带宽为700 kHz,14-bitΣΔ模数转换器中的降采样低通滤波器的设计.在整个滤波器的设计中,从结构上和硬件实现上入手,对电路结构进行优化,减小电路实现的复杂性,从而降低功耗和面积.在此基础上,完成了电路设计,用0.6 μm CMOS工艺综合实现,仿真结果显示,性能满足设计指标.
作者：周政海; 邓先灿; 楼向雄 刊期：2004年第04期
便携式电子设备对电源管理芯片的设计提出了新的挑战.文中采用新的设计方法和思路,设计了一个开关电源PWM DC/DC转换器芯片,启动电压最低至1 V,功率管开关频率高达600 kHz,采用PWM-PFM间歇工作方式,较好地克服了开关电源轻负载时效率低的问题,电源效率一直保持较高,适用于寻呼机、手机等便携式电子设备.
作者：朱珂; 华林; 周晓方; 章倩苓 刊期：2004年第04期
对JPEG2000中推荐的5/3整数滤波器和9/7实数滤波器进行了硬件实现时所需要的有限精度分析;确定了小波变换过程中各个参数的最佳数据宽度,还确定了整个变换系统的数据通路的数据宽度.基于lifting的小波变换的特点结合嵌入式延拓算法提出了两种小波变换--折叠结构和长流水线结构;对两种结构进行了分析比较.最后,对折叠结构和相关的其它结构在所需...
作者：朱全庆; 李海华; 邹雪城; 沈绪榜 刊期：2004年第04期
提出了一种快速以太网卡芯片时钟恢复电路的设计,包括体系结构、用于100BASE-TX的改进Mueller Muller算法、用于100BASE-FX的鉴相器以及产生多相时钟的电荷泵锁相环.该时钟产生电路经过TSMC 0.35 μm 1P5M CMOS工艺验证,工作电压为3.3 V.实验结果表明该时钟恢复电路能够满足以太网卡芯片的要求.
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