固体电子学研究与进展杂志 北大期刊 统计源期刊

Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展

作者：薛舫时 刊期：2004年第03期

Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙,导带能谷间距大,强场输运特性好.AlGaN/GaN异质结产生高密度的二维电子气,屏蔽了杂质和缺陷的散射,改善了低场输运性能.它弥补了宽禁带半导体输运性能差的缺点,已研制成大功率的HFET.利用强场下的速度过冲有望消除阴极端的速度凹坑,显著改进器件性能.电子气的强二维性使输运特征依赖于器件结构和工作状态,...

存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET温度特性研究

作者：韩军; 柴常春; 杨银堂; 曾晓 刊期：2004年第03期

利用二维器件仿真软件MEDICI建立了具有指数分布界面陷阱的n沟6H-SiC场效应晶体管的结构模型和物理模型,通过模拟研究,分析和讨论了界面陷阱对器件阈值电压、跨导及其温度特性的影响.

基于PECVD工艺的a-SiCx：H发光微腔的研究

作者：但亚平; 姚永昭; 王燕; 岳瑞峰; 刘理天 刊期：2004年第03期

以PECVD为制备工艺,a-SiO2:H/a-Si:H为布拉格反射镜多层膜,a-SiCx:H为中间腔体发光材料,制备垂直腔面的发光微腔.文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序,并对微腔的发光特性进行了反射谱和荧光谱研究.结果表明,该微腔性能良好,能激射出半高宽为9 nm、波长为743 nm的荧光峰,与设计值700 nm基本吻合.

一种新型凹源HV-NMOS器件研究

作者：孙伟锋; 易扬波; 吴烜; 王平; 吴建辉 刊期：2004年第03期

设计出一种能与体硅标准低压CMOS工艺完全兼容的新型凹源HV-NMOS(High voltage NMOS)结构,在TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数,通过MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流-电压和击穿等特性曲线,击穿电压比传统HV-NMOS提高了37.5%.同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层(Buffer层)及场极板对改善HV-NMOS工作特性...

共面波导形式的倒扣焊X波段低噪声放大器

作者：陈辰; 林金庭; 李拂晓 刊期：2004年第03期

研究了倒扣焊封装的共面波导(CPW)X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性.低噪声放大器单片是在GaAs MMIC工艺线上用全离子注入、0.8 μm栅工艺研制完成.单片电路使用共面波导作为传输线,它可以将电磁场束缚在较小的空间内,受倒扣衬底的影响较微带线小.与传统的引线键合技术相比,单片倒扣...

一种用于Bluetooth发接器的倍频式VCO

作者：苏彦锋; 衣晓峰; 朱臻; 洪志良 刊期：2004年第03期

介绍了一种适用于Bluetooth发接器的,可以单片集成的倍频式压控振荡器(VCO).这种VCO由两部分组成,主VCO的振荡频率是所需本振频率的一半,然后采用"注入锁频"原理对主VCO的振荡频率进行倍频以产生本振信号.主VCO和倍频电路都使用了片上集成螺旋电感,调谐用的变容元件使用PMOS晶体管实现.经过版图设计和后仿真,在TSMC 0.35 μm数字COMS工艺,3.3 V电...

应用于移动通信的DDS频率合成器

作者：李荐荐; 朱晓维 刊期：2004年第03期

随着数字技术的发展,近十几年来,直接数字频率合成(DDS)技术发展很快,已发展成为主要的频率合成技术之一.现代许多频率合成器在设计中采用了DDS和PLL的混合式频率合成技术,可以将DDS的高分辨率及快速转换时间特性与PLL的输出功率高、寄生噪声和杂散低的特点有机地结合起来.文中研究了应用于正交频分复用(OFDM)通信系统的DDS+PPL混合式频率合成器...

非均匀介质中对称耦合三线的传输矩阵

作者：王安国; 辛文莉; 戴居丰; 吴咏诗 刊期：2004年第03期

采用新的方法推导出非均匀介质中对称耦合三线的传输矩阵(T参数)解析表达式,给出了以正规模式参量描述的T参数表达式.所得T参数表达式形式简明,物理概念明晰.将无损状态下的T参数通过矩阵分块运算推导S参数,与文献结果进行了验证.验证结果表明所得T参数解析表达式的正确性和本文方法的有效性.非均匀介质中对称耦合三线的T参数解析表达式的导出为...

1．25Gb／s低功耗CMOS光接收机限幅放大器

作者：田俊; 王志功; 梁帮立; 胡艳; 章丽; 熊明珍; 施毅; 郑有炓 刊期：2004年第03期

设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的限幅放大器.电路采用有源电感负载来拓展带宽、稳定直流工作点,通过直接耦合技术来提高增益、降低功耗.测试结果表明,在从5 mVp-p到500 mVp-p,即40 dB的输入动态范围内,在50 Ω负载上的单端输出电压摆幅稳定在280 mVp-p.在5 V电源电压下,功耗仅为130 mW.电路可稳定工作在155 Mb/s、622 Mb/s、1....

一种压阻式高g值加速度传感器

作者：陈德英; 茅盘松; 张旭; 王强 刊期：2004年第03期

讨论了硅的压阻效应,利用简化的力学模型设计了高g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图,并制备出样品,测试结果表明本传感器加速度可大于8 000g.

嵌入式折叠内插式CMOS模／数转换器设计

作者：朱樟明; 杨银堂; 孙龙杰; 吴晓鹏 刊期：2004年第03期

基于折叠内插式ADC结构,采用分段式结构、两级折叠、主动内插技术和非线性误差补偿技术,采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺设计实现了8位40 MS/s ADC.基于BSIM3V3模型,采用Cadence Spectre仿真器对8位折叠内插式ADC进行了系统仿真,采用MPW计划对ADC进行了流片验证,仿真和测试结果表明该ADC具有较低的非线性误差和良好的频域特性,证明了误差补偿技术的有...

一种新型异步数据通路性能分析方法

作者：赵冰; 黑勇; 仇玉林 刊期：2004年第03期

介绍了一种新型的异步数据通路性能分析方法.这种方法在进行性能分析时基于多延迟模型、SPICE和逻辑仿真,可以作为异步数据通路设计和分析的一种有效工具.为了进一步的阐述和验证这种分析方法,文中举例分析了4比特和8比特异步比较器.

MPEG-4中运动估值的低功耗VLSI设计

作者：刘丽蓓; 王颀; 徐锋; 张胜媛; 李晴; 邵丙铣 刊期：2004年第03期

提出了一种适用于MPEG-4标准的运动估值模块的低功耗VLSI设计,它可以有效地支持包括全搜索块匹配算法及快速算法在内的四种ME算法.通过考虑合理的数据流映射来减小访存带宽,处理单元内部进行比较以提早结束计算,以及用低功耗全加单元优化关键模块,在系统级、结构级和电路级实现低功耗性能,并给出了仿真结果.

2～8GHz单片可变增益低噪声放大器芯片

刊期：2004年第03期

指纹采集系统与DSP快速处理技术

作者：赵慧民 刊期：2004年第03期

介绍了几种指纹成像技术的优缺点,说明了半导体指纹采集器件FPS110的应用,并结合高速DSP芯片TMS320C5402实现了一种指纹锁的应用处理系统.该系统在DSP XDS510仿真器上进行实验表明,指纹采集在几十毫秒内完成.指纹匹配算法采用寻找特征点三角形匹对方法,使匹对精度达到了99%;而同一算法,对由CCD光学采集到的图像,经DSP处理后有很多的伪特征点.