固体电子学研究与进展杂志 北大期刊 统计源期刊

HfO2高K栅介质薄膜的电学特性研究

作者：韩德栋; 康晋锋; 刘晓彦; 韩汝琦 刊期：2004年第01期

研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特性,击穿特性进行了测试.实验结果显示:HfO2栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流和较高的击穿电压.因此,HfO2栅介质可能成为SiO2栅介质的替代物.

应变Si1-xGex沟道PMOSFET空穴局域化研究

作者：杨荣; 罗晋生; 屠荆 刊期：2004年第01期

为充分利用应变SiGe材料相对于Si较高的空穴迁移率,研究了Si/SiGe/Si PMOSFET中垂直结构和参数同沟道开启及空穴分布之间的依赖关系.在理论分析的基础上,以数值模拟为手段,研究了栅氧化层厚度、Si帽层厚度、SiGe层Ge组分及厚度、缓冲层厚度及衬底掺杂浓度对阈值电压、交越电压和空穴分布的影响与作用,特别强调了δ掺杂的意义.模拟和分析表明,栅氧...

2～8GHz单片可变增益低噪声放大器芯片

刊期：2004年第01期

n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究

作者：杜刚; 刘弋波; 孙雷; 刘晓彦; 韩汝琦 刊期：2004年第01期

利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件,对n沟肖特基势垒隧穿晶体管(SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟,详细分析了沟道区掺杂浓度,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对SBTT特性的影响.

MOSFET栅下碰撞电离与击穿研究

作者：赫晓龙; 姚素英; 赵毅强; 王培林; Ganming; Qin; 王传政 刊期：2004年第01期

研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和碰撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决定器件的击穿特性.通过对实验研究与计算机模拟结果的分析,表明在不同的栅压下,此处场板长度的大小对栅下电场强度有直接的影响,合理地控制场板长度能有效地提高器件的击穿电压.

a—Si TFT亚阈特征参数与有源层的厚度效应

作者：宋跃; 邹雪城 刊期：2004年第01期

从异质界面处的有效界面态出发,研究了a-Si Nx:H/a-Si:H异质结a-Si:H TFT的亚阈特征参数的界面效应和有源层的厚度效应,发现a-Si:H的特性不仅与材料、工艺有关,而且其几何结构参数对a-Si:H TFT的特性电有明显的影响.实验结果表明:亚阈特征参数主要由异质界面的有效界面态密度决定,当NH3/SiH4比增加时亚阈特征参数下降,增加a-SiNx材料的淀积温度,...

2～8GHz微波单片可变增益低噪声放大器

作者：彭龙新; 林金庭; 魏同立; 陈效建; 刘军霞; 贺文彪 刊期：2004年第01期

报道了一种微波宽带GaAs单片可变增益低噪声放大器芯片.该芯片采用南京电子器件研究所φ76mm圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,在零衰减时,整个带内增益大于25dB,噪声系数最大为3.5 dB,增益平坦度小于±0.75dB,输入驻波小于2.0,输出驻波小于2.5,输出功率大于10dBm.放大器增益可控大于30 dB.实验发现,芯片具有良好的温度特...

非均匀介质中非对称耦合传输线的传输矩阵

作者：王安国; 金涛斌; 吴咏诗 刊期：2004年第01期

采用新的方法推导出非均匀介质中非对称耦合传输线的传输矩阵(7参数)解析表达式,给出了以正规模式参量描述的T参数表达式.所得T参数表达式形式简明,物理概念明晰.通过矩阵分块运算,由散射参数推导T参数,对所给表达式进行了验证.验证结果表明所得T参数解析表达式的正确性和方法的有效性.T参数解析表达式的导出为非均匀介质中非对称耦合传输线在三...

基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析

作者：来金梅; 武新宇; 孙承绶; 任俊彦; 章倩苓; Omar; Wing 刊期：2004年第01期

研究了基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析有效算法:通过恰当的系统解耦、松弛迭代和边值问题求解等方法避免了复杂的PDE周期稳态分析,较好地解决了基于MOSFET PDE模型的射频电路周期稳态分析的计算效率问题.采用该算法仿真典型的C类功率放大器得到电流波形和工业界公认标准器件仿真器MEDICI瞬态模拟得到电流波形比较,显示出很好的一致性...

MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟

作者：陈宰曼; 来金梅; 任俊彦; 许俊; Omar; Wing 刊期：2004年第01期

针对RF电路模拟的需要,在文中提出了一个基于表面势的MOSFET大信号动态集总模型.这个模型是由MOSFET的PDE模型简化推导而来.它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏-安特性.而且比PDE模型易于求解,从而大大提高了电路模拟的速度.通过模拟几个具体的RF电路,将这个模型与PDE模型作了比较,结果表明两者吻合得很好.

VCSEL中布拉格反射体的电流机制和伏安特性

作者：康香宁; 陈良惠 刊期：2004年第01期

采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整...

扩大感光动态范围的象限光电传感器的研究

作者：周鑫; 朱大中 刊期：2004年第01期

介绍了一种可调整感光动态范围的象限传感器的设计.该传感器采用0.6微米CMOS标准工艺制造.包含有16×16有源光电管阵列,相关二次采样(CDS)电路,输出缓冲放大电路和数字控制电路几个主要功能模块,实现了象限传感器与CMOS处理电路的兼容集成.该传感器对目标单帧传感的感光动态范围为60dB,通过变频二次扫描进行感光动态范围的调整后,传感器总的感光...

GaAs微条粒子探测器的设计

作者：邵传芬; 史常忻; 凌行; 温伯莹 刊期：2004年第01期

介绍了最新研制成功的GaAs微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计.每一微条长度均为1 7 000μm,宽度分别为20、50、100、200和300 μm.微条间距有50、100、200和300 μm四种,芯片面积为5.95 mm×17.00 mm.微条粒子探测器的反向击穿电压最高达240 V,反向漏电流密度最低为0.025μA/mm2.它对光照有强烈的敏感性.微条粒子探测器的辐照特性见其它论文报道.

高隔离度S波段MEMS膜桥开关

作者：朱健; 周百令; 郁元卫; 陆乐; 贾世星; 张龙 刊期：2004年第01期

常规的MEMS膜桥开关在10 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度(＞20 dB)的优点.文中介绍了一种应用于微波低频段--S波段的高隔离MEMS膜桥开关,给出了开关的设计与优化方法,建立了开关的等效电路模型.通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施,达到提高开关隔离度的目的.利用HFSS软件仿真的结果表明,该开关在微波低频段(3...

固支梁微传感器等效电路宏模型及IP库的建立

作者：闻飞纳; 李伟华; 戎华 刊期：2004年第01期

针对MFMS器件中的固支梁结构,采用了SPICF中标准多项式受控源的形式和模态分析的方法,运用F-I类比的电路形式建立了固支梁微传感器的多模态小信号等效电路宏模型,并建立了相应的IP模型库单元.在外加力作用下,用SPICF软件调用固支梁的IP库并结合外加电路进行了系统级的模拟,得到微传感器分布参数的电学参量输出特性曲线;最后采用COVFNTORWAPE软件...