光电子激光

光电子激光杂志 北大期刊 CSCD期刊

Journal of Optoelectronics.Laser

杂志简介:《光电子激光》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,国内刊号为12-1182/O4,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:光电子器件和系统、图像与信息处理、测量·检测、光物理、光电子信息技术

主管单位:天津市教育委员会
主办单位:天津理工大学
国际刊号:1005-0086
国内刊号:12-1182/O4
全年订价:¥ 520.00
创刊时间:1990
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:天津
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.66
复合影响因子:0.68
总发文量:3608
总被引量:22957
H指数:31
引用半衰期:2.6135
立即指数:0.0557
期刊他引率:0.7635
平均引文率:9.6685
  • 一种采用Ge/P光纤的强度调制型温度传感器

    作者:金靖 徐娆美 刘纪勋 郭建华 宋凝芳 刊期:2013年第12期

    提出一种基于稳定的光纤辐射致衰减(RIA)温度依赖性的新型光纤温度传感器。用辐照并充分退火后的光纤制作传感头,搭建光纤温度传感系统进行测试。建立温度和光纤RIA的模型,并对光纤温度传感器的灵敏度、线性度和重复性进行分析。结果发现,在-40~60℃温度范围内,辐照并充分退火后的Ge/P掺杂光纤在850nm波段的RM具有单调稳定的温度依赖性...

  • 基于PPLN晶体的可调谐太赫兹波辐射特性研究

    作者:李雪 延凤平 谭思宇 刊期:2013年第12期

    提出了一种周期极化铌酸锂(PPLN)晶体差频产生太赫兹(THz)波的新型结构。基于非线性晶体三波互作用理论模型,根据周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的准相位匹配原理和掺铒光纤激光器(EDFL)双波长输出激光特性,并结合晶体折射率差公式,理论分析了工作温度及极化反转光栅周期对其输出THz波的影响,给出一定频率范围内其输出波长连续可调...

  • 航空光电稳定平台的二级自抗扰控制器

    作者:李贤涛 张葆 毛大鹏 孙敬辉 李嘉全 沈宏海 刊期:2013年第12期

    为了进一步提高两轴四框架航空光电稳定平台的抗干扰能力,提出了一种二级自抗扰控制器(ADRC)的新方法。首先,在外框架中加入高精度陀螺仪,使其具备扰动抑制能力;然后分别在内外框架中,采用带宽单参数化的设计方法设计ESO及带扰动补偿的二级自抗扰控制规律;最后,在飞行模拟转台中测试(ADRc)对2.5Hz以内任意频率扰动的抑制能力。实验...

  • 基于Rb原子频标电注入锁定的高频稳低相噪光电振荡器

    作者:滕义超 王德双 张宝富 卢麟 尤峻 李得龙 刊期:2013年第12期

    为了进一步改善光电振荡器(OEO)输出信号频率的长期稳定度和相位噪声,提出了一种基于Rb原子频标电注入锁定的单环OEO。将Rb原子钟产生的高频稳正弦信号注入到单环OEO,通过注入信号与自由振荡信号的频率牵引,OEO获得单一振荡模式。实验发现,随着注入功率的增大,锁定带宽变大,锁定信号的相位噪声变差;随着注入功率的下降,锁定带宽变小,...

  • THz量子级联激光器跃迁速率的数值求解及验证

    作者:祁昶 石新智 叶双莉 江金光 刊期:2013年第12期

    THz量子级联激光器(QCL,quantum cascade laser)有源区载流子的跃迁速率是研究激光器内部输运特性,模拟激光器特性和优化设计的关键参数。本文针对跃迁速率的计算问题,在连续介质模型下提出了一种运用自洽方法和费米黄金法则计算THz QCL有源区载流子跃迁速率的方法。方法考虑了包括电子-纵向光声子散射、电子-电子散射机制以及电子-光子散...

  • 铟锡氧化物扩展层对LED抗静电及漏电性能的影响

    作者:田亮 高志远 孙丽媛 邹德恕 刊期:2013年第12期

    研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题。结果发现,器件漏电和抗静电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结短路。通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带...

  • ZnO纳米颗粒表面缺陷对有机太阳能电池性能的影响

    作者:许新蕊 秦文静 丁国静 刘冬月 马春宇 印寿根 刊期:2013年第12期

    用温度控制ZnO纳米颗粒粒径的大小,研究了颗粒粒径对表面缺陷的影响。由透射电镜(TEM)、紫外-吸收光谱和荧光光谱测试表明,随着反应温度升高,ZnO纳米颗粒的尺寸增加,比表面积显著下降,表面缺陷的体密度降低。将不同反应温度下的ZnO纳米颗粒应用于ITO/ZnO/P3HT:PCBM/MoO3/Ag结构的有机太阳能电池中,进一步研究了缺陷对电池性能的影...

  • 直径52~65mm探测器级Si单晶的真空制备

    作者:蒋娜 万金平 刊期:2013年第12期

    为了制备纯度11N以上、直径φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料,本文在真空气氛下提纯并生长垂52~65mm探测器级区熔(FZ,float zone)Si单晶,并对真空气氛和直径增加所带来的晶体不稳定生长、高断面电阻率不均匀率和漩涡缺陷等问题的产生原因和解决方式进行了深入研究。结果表明,丹麦加热线圈表面带有台阶...

  • 基于单泵浦源结构的高平坦C+L波段掺Er^3+光纤宽带光源

    作者:何巍 祝连庆 张荫民 骆飞 董明利 陈晓怀 刊期:2013年第12期

    为了实现高平坦的C+L波段放大的自发辐射光(ASE)光输出,提出并设计了一种基于LD单泵浦源,并且采用两段掺杂浓度完全相同的掺Er^3+光纤(EDF)作为增益介质的宽带光源。对光源的基本原理及实现方案进行了理论分析和实验验证。首先,根据Er^3+能级结构介绍C+L波段宽带光源的产生原理。然后,设计系统结构,在结构中采用976nmLD作泵浦源,...

  • 四象限探测器高精度定位算法研究

    作者:高紫俊 董丽丽 孟丽艳 许文海 李瑛 刊期:2013年第12期

    用于光斑中心位置计算的定位算法是影响四象限探测器位置测量精度的主要因素之一。为了提高四象限光电探测器的定位精度,分析了目前通用的质心算法计算光斑中心的位置误差,提出了一种基于数据库查询的高精度光斑中心定位算法。算法的原理为:在四象限探测器和光源特性已知的前提下,首先通过仿真方法建立一个数据库;数据库中光斑中心位置和探...

  • 光通信乘性噪声信道基于LDPC码的SNR估计方法

    作者:向劲松 马圣明 刘群 陈绍娟 刊期:2013年第12期

    针对目前现有的信噪比(SNR)估计方法不适用光通信中乘性噪声信道的问题,分析了乘性噪声信道下,SNR失配对低密度奇偶校验(LDPC)码性能的影响,并通过仿真表明乘性噪声信道下SNR精确估计的必要性。提出了一种基于量化的LDPC码判决反馈的SNR估计方法,首先对接收到的光信号进行量化,利用简化后的期望最大(EM)算法对量化后的SNR进行一次粗...

  • 基于偏振调制器和单模光纤的微波瞬时频率测量研究

    作者:魏志虎 王荣 方涛 蒲涛 郑吉林 孙帼丹 甄飞 刊期:2013年第12期

    提出了一种基于偏振调制器(PolM)实现微波信号的瞬时频率测量(IFM)方法并进行了实验验证。它采用PolM同时实现相位调制和强度调制,利用1个光源和1段单模光纤(SMF)保持光路中功率稳定,通过光纤的色散将微波信号频率映射到功率上,最后经过光电探测器(PD)探测并计算出两路电信号的功率比。这个功率比一一对应于输入的微波信号频率,最终...

  • 集成光学器件的PLZT薄膜溶胶-凝胶法制备与性能研究

    作者:杨柳 胡国华 恽斌峰 章丽昕 崔一平 刊期:2013年第12期

    在掺铌钛酸锶(NST)的衬底上,通过加入抑制开裂剂聚乙二醇对异辛基苯基醚(triton X-100),利用溶胶-凝胶法制备了厚达4.6μm的锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜,从而有效地减小了其在集成光学器件应用中的传输损耗。实验分析了triton X-100的加入量对薄膜质量的影响,并通过优化triton X-100的加入量可有效抑制薄膜开裂。利用光学显微镜、扫描电子显...

  • 玻璃基底/Ag纳米薄膜/聚苯胺电致变色薄膜的制备

    作者:纪禹行 秦川丽 郑冰 白续铎 刊期:2013年第12期

    采用垂直靶向脉冲激光沉积(VTPLD)法,在室温及Ar气环境下于玻璃基底上沉积Ag纳米薄膜。在Ag纳米薄膜上用提拉法获得一层聚苯胺(PANI)电致变色薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和数字万用表考察激光功率对沉积的Ag纳米薄膜的晶型结构、表面形貌和电导率的影响。采用循环伏安法、紫外可见漫反射光谱法对不同激光功率下沉积的Ag纳...

  • 白光LED用Ba0. 955 Al2 Si2-x GexO8 :Eu2+荧光粉的晶体结构和光谱特性研究

    作者:王飞 田一光 张乔 刊期:2013年第12期

    采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ba0.955Al2Si2-xGexO8:Eu^2+(x=0.0~1.0)系列荧光粉,研究了Ge^4+置换Si^4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge^4+以类质同相替代Ba长石(BaAl2Si2O8)晶格中的Si^4+形成连续固溶体,晶胞参数a、b、c、β和晶胞体积V随Ge^4+置换量呈线性递增。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm处,可拟合成4个峰...