光电子激光

光电子激光杂志 北大期刊 CSCD期刊

Journal of Optoelectronics.Laser

杂志简介:《光电子激光》杂志经新闻出版总署批准,自1990年创刊,国内刊号为12-1182/O4,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:光电子器件和系统、图像与信息处理、测量·检测、光物理、光电子信息技术

主管单位:天津市教育委员会
主办单位:天津理工大学
国际刊号:1005-0086
国内刊号:12-1182/O4
全年订价:¥ 520.00
创刊时间:1990
所属类别:化学类
发行周期:月刊
发行地区:天津
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.66
复合影响因子:0.68
总发文量:3608
总被引量:22957
H指数:31
引用半衰期:2.6135
立即指数:0.0557
期刊他引率:0.7635
平均引文率:9.6685
  • 基于Si纳米线AWG的超紧凑单纤三向滤波器设计

    作者:安俊明 李俊一 宋世娇 赵雷 吴远大 胡雄伟 刊期:2010年第08期

    采用绝缘层上Si(SOI)纳米线阵列波导光栅(AWG)结构设计了超紧凑光纤到户(FTTH)单纤三向滤波器。二维时域有限差分(2D-FDTD)模拟输出光场表明,3个波长光信号输出光场清晰,实现了1490 nm和1550nm下行波长的解复用和1310 nm波长的上传复用功能;进一步的输出功率模拟表明,当各波长信号输入功率为1 mW时,1490 nm端口输出功率为0.49 mW,1550 n...

  • 基于ZnS:Mn~(2+)量子点电致发光器件的制备

    作者:黄青松 张晓松 徐建萍 董冬青 宣荣卫 李岚 刊期:2010年第08期

    以多磷酸钠为分散剂,采用水相共沉淀法制备了Mn2+掺杂的ZnS量子点,通过X射线衍射(XRD)谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像、紫外-可见吸收光谱和光致发光(PL)谱等表征了ZnS:Mn2+量子点的结构、形貌和发光性能;通过对比在空气中干燥前后样品的PL谱,进一步证明了441 nm的峰是属于与硫空位相关的发射。同时,将处理后的样品分散到氯仿中,...

  • 基于晶体延迟干涉仪的20-Gb/sNRZ-DQPSK解调实验研究

    作者:邢燕飞 刘洋 娄采云 刊期:2010年第08期

    光差分四相移键控(DQPSK)信号解调技术是相位调制光纤通信系统中的关键技术,本文利用钒酸钇(YVO4)晶体设计制作了2 bit延迟干涉仪(DI)作为DQPSK解调器。相对于传统的基于光纤结构的DI,用晶体材料制作的DI具有温度稳定性高的特点,其作为光DQPSK解调技术中的关键器件,具有广泛的应用前景。实验搭建了20 Gb/s光NRZ-DQPSK背靠背实验系统,并利...

  • 基于SOI结构的1×8阵列上下载微环滤波器

    作者:王世君 黄永箴 刊期:2010年第08期

    利用193 nm深紫外曝光的方法应用CMOS技术,在SOI片上加工制作了1×8阵列上下载微环滤波器,微环半径分别为21.0、20.5、20.0和19.5μm。通过测量直通端的透射光谱,在1 540~1 560 nm的波段上观测到微环阵列谐振波长的透射谱凹陷,对应的消光比均大于15dB,在谐振波长1559.5 nm处的消光比高达35 dB。在半径为20.5μm的微环下载端,测得的波长为1 542.6、...

  • 基于LED的光栅光调制器照明系统的优化设计与实现

    作者:史玲娜 潘英俊 董光先 刊期:2010年第08期

    设计了一种基于LED照明的光栅光调制器(GLM)照明系统,以自由曲面TIR透镜、光棒、聚光透镜组为主要光学元件来提高LED光能利用率,并实现光场均匀化。通过仿真得出,照明系统的光能利用率为78.7%,光照均匀性为85%,实验与设计结果基本一致。这表明,优化后的光栅光调制器的照明系统,解决了基于LED的照明系统光照不均匀和光能利用率低的问题。

  • 基于F-P滤波器的多波长时钟提取

    作者:王延宇 于晋龙 韩丙辰 罗俊 杨恩泽 刊期:2010年第08期

    提出一种简单的全光单一链路的多波长时钟同时提取方案。利用Fabry-Perot(F-P)滤波器对波分复用(WDM)系统中多波长的归零(RZ)码信号进行时钟提取,滤波器后面接半导体光放大器(SOA)对F-P滤波器提取出的时钟进行整形处理,通过实验证实了用F-P滤波器对两路不同波长的10 Gbps信号时钟提取的可行性以及同一SOA同时处理双波长时钟的能力,两路...

  • FBG轴向非均匀应变分布的遗传规划重构方法

    作者:夏彦君 郑世杰 刊期:2010年第08期

    针对现有的光纤Bragg光栅轴向非均匀重构方法需预先对应变分布形式做假设而实际结构中应变分布是任意的这一问题,基于新兴的遗传规划(GP)算法,提出一种重构FBG轴向非均匀应变分布的方法,利用GP自动设计并优化应变分布的函数表达式,使应变重构的空间分辨率可以达到任意值。多种应变分布形式下的应变重构仿真结果表明,GP方法可以有效地进行光栅...

  • 数字CCD摄像机抗纵向晕光驱动时序研究

    作者:莫思特 刊期:2010年第08期

    分析了CCD摄像机纵向晕光的产生原因,提出了一种消除数字CCD摄像机高照度像素上半部分纵向晕光的垂直移位驱动时序设计方法。根据CCD电荷转移时序控制原理,在两帧间插入垂直移位驱动时序,可以清除前一帧产生的饱和电荷,由此可以消除高照度像素上半部分纵向光晕。在ICX205电路板上,测试了本文提出的抗光晕驱动时序,结果表明,所提出的方法可以成功...

  • CIS片上系统中伽玛校正的低功耗设计

    作者:钟健 姚素英 徐江涛 王粟 刊期:2010年第08期

    为了实现CMOS图像传感器(CIS)片上系统(SoC)中伽玛(γ)校正的低功耗设计,同时又保证校正的精度,提出一种查找表和直线拟合相结合的γ校正技术。算法对灰度值较低的像素使用直接查找表方法校正,对于γ曲线上升缓慢部分的像素采用分段直线拟合的方法。在直线分段时,使用外层分段与内层分段相结合的方法,达到了分段优化的目的。算法保证了图像校...

  • 基于杠杆原理的新型光纤光栅微位移传感器

    作者:杨秀峰 于汇 王鹏 童峥嵘 李群 刊期:2010年第08期

    设计了一种新型的光纤布拉格光栅(FBG)微位移传感器。基于杠杆原理,通过自由设计不同的力臂长度满足各种测量要求,可以在不损毁光栅的情况下使光栅产生更加显著的应变;其封装不会产生啁啾,可以通过结构的级联实现传感器的复用进行多维多参量的测量。实验结果证明,在微测量范围0.00-0.20 mm内,该微位移传感器的灵敏度达到12.5 nm/mm,较其它梁臂...

  • 半导体激光器自混合振动系统优化研究

    作者:吕亮 戴绩俊 朱军 甄胜来 俞本立 徐军 谢建平 赵天鹏 明海 刊期:2010年第08期

    为了优化半导体激光自混合振动测量系统,本文采用三镜腔理论模型,结合激光自混合振动测量的实验结果,利用数值模拟的方法对激光自混合振动信号进行仿真分析,获得了不同外腔耦合系数ζ(0.25×10-4~1.75×10-4)以及不同半导体激光器(LD)线宽展宽因子α(1~5)下自混合振动测量信号的时域特性。结果表明,较大的外腔耦合效率ζ和LD线宽展宽因子α能...

  • 旋转轴对称LED均匀照明系统设计方法

    作者:王洪 王海宏 张小凡 张奇辉 刊期:2010年第08期

    基于边缘光学理论,提出了一种应用于LED照明的光学系统设计方法,分别实现基于透镜和反射器的LED均匀照明光学系统,可在一特定距离的目标面上形成均匀圆形光斑。采用基于蒙特卡罗法的光线追迹软件对两种光学系统进行模拟仿真,结果显示,目标面上光斑的均匀度优于85%,系统效率高于90%。

  • 大视场角1/4对称膜系偏光分束镜的研究

    作者:齐瑞云 吴福全 王庆 郝殿中 吴闻迪 刊期:2010年第08期

    为了增大薄膜偏光分束镜(PBS)的视场角,从对称膜系等效折射率公式和截止带理论出发,设计了对称膜系结构的大视场角PBS。利用电子枪蒸镀法制备了低高低折射率(LHL)膜系结构的PBS,利用UV3101-PC分光光度计测量了PBS在不同入射角下的透射分光光谱,通过消光比测试系统测量了PBS反射光和透射光的消光比。结果表明,偏光分光光谱随入射角变化不明显...

  • 水汽紫外拉曼激光雷达分光系统研究

    作者:汪少林 曹开法 陶宗明 胡顺星 魏合理 胡欢陵 王英俭 刊期:2010年第08期

    介绍了一种可用于工作波长在紫外波段的水汽拉曼激光雷达的分光系统,即利用石英三棱镜组合结构实现对激光雷达多波长回波信号的分光。对于266 nm发射波长,由于激光雷达接收的氧气(O2)、氮气(N2)、水汽(H2O)拉曼波长相隔较近,普通的滤光片难以满足要求,利用该分光系统,对其参数尤其是对棱镜间夹角和光束入射角的优化,可将大气中O2、N2、H2O...

  • pn结对微机械p/n多晶Si热电堆性能的影响

    作者:李艳龙 王翊 周宏 刘延祥 李铁 王跃林 刊期:2010年第08期

    为了研究pn结对微机械p/n多晶Si热电堆性能的影响,设计了两种结构的热电堆器件,采取不同的退火条件,对其结构进行了研究。实验结果表明,工艺过程中形成的pn结会使得热电堆的电阻变大,信号变小,退火条件决定了热电堆器件能否正常工作。因此,在设计热电堆时应该尽量避免pn结,可以采用p-Si/n-Si分离结构予以解决。