摘要：采用以溶剂热方法合成的CdS纳米棒与酞菁氧钛复合制备的复合光导体, 在570 nm光照下其光电导性能明显提高, 将质量分数为5%的CdS纳米棒与TiOPc复合使光敏性能提高32%. 电子结构的数据和表面光电压谱分析结果表明, 复合体系中存在从CdS纳米棒到TiOPc的光致空穴转移, TiOPc因被CdS纳米棒敏化而表现出高的光电导性能.

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