首页 期刊 发光学报杂志 2020年第01期
发光学报

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Chinese Journal of Luminescence

杂志简介：《发光学报》杂志经新闻出版总署批准，自1970年创刊，国内刊号为22-1116/O4，是一本综合性较强的科学期刊。该刊是一份月刊，致力于发表科学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：特邀报告、封面文章、特邀综述、材料合成及性能、器件制备及器件物理、发光产业及技术前沿

主管单位：中国科学院
主办单位：中国物理学会发光分会;中国科学院春光学粘密机械与物理研究所
国际刊号：1000-7032
国内刊号：22-1116/O4
全年订价：¥ 1060.00
创刊时间：1970
所属类别：科学类
发行周期：月刊
发行地区：吉林
出版语言：中文
预计审稿时间：1-3个月
综合影响因子：0.98
复合影响因子：0.79
总发文量：2748
总被引量：12279
H指数：30
引用半衰期：3.44
立即指数：0.0615
期刊他引率：0.7673
平均引文率：11.8667
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分期目录

  • 单颗粒稀土纳米晶的三基色上转换发光

    作者：孙剑飞; 闫东; 刘禄 刊期：2020年第01期

    可调谐发光颜色的上转换荧光纳米粒子具有广阔的应用前景。本文设计并成功合成了结构紧凑的多层核-壳纳米颗粒。在不同波段激光的泵浦下,该颗粒中不同壳层分别产生红、绿、蓝3种颜色的上转换荧光。光谱测试结果表明,样品三基色发光的颜色纯度较好,并且可以实现全色域的颜色实时调节。此外,还测试了样品发光强度与泵浦功率之间的依赖关系,用于研...

  • D-π-A-π-D型小分子红光材料的制备及其性能

    作者：贾钧森; 王飞; 赵波; 杨晶晶; 余春燕; 孙静; 王华; 许并社 刊期：2020年第01期

    开发新型有机红光材料对于制备高性能红光有机电致发光器件具有重要的研究意义。本文采用SUZUKI偶联反应,以芴酮为受体(A)、3,4,5-三甲氧基苯为给体(D)合成了新型D-π-A-π-D结构的有机红光材料(3MeFO)。通过1H NMR谱、13 C NMR谱和X单晶衍射确认了分子结构,该化合物展示了较强的电荷转移作用和良好的共轭结构,其晶体的发射峰达到620 nm。从单晶结...

  • Yb3+-Tm3+共掺钨钼酸盐纳米晶体的发光特性

    作者：苏吉益; 张希艳; 施琳 刊期：2020年第01期

    以聚乙二醇为络合剂,采用水热法制备了发光性能优越的Yb3+-Tm3+共掺BaGd2(WO4)0.5(MoO4)0.5纳米晶体。改变稀土掺杂量并生产不同掺杂量的BaGd2(WO4)0.5(MoO4)0.5∶Yb3+/Tm3+。以X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)对样品进行表征。结果表明,BaGd2(WO4)0.5-(MoO4)0.5∶Yb3+/Tm3+纳米晶属四方晶系,粒径在25~40nm之间,使...

  • Mg2+、Zn2+掺杂CaWO4∶Eu3+荧光粉的发光性质

    作者：王林香; 赵海琴; 孙德方 刊期：2020年第01期

    采用微波加热固相法合成了Mg2+、Zn2+掺杂CaWO4∶Eu3+荧光粉。利用XRD对样品的晶体结构进行表征,通过荧光分光光度仪对样品的激发光谱、发射光谱和能级寿命进行检测和分析。结果表明,Mg2+、Zn2+、Eu3+掺杂CaWO4不影响CaWO4基质的四方晶相。395nm激发下,与CaWO4∶2%Eu3+样品比较,分别掺杂0.5%的Mg2+或Zn2+的样品发光强度提高了1.3倍和2.1倍;与3%M...

  • 氮-磷共掺杂石墨烯量子点制备及荧光特性

    作者：荆怡帆; 顾冰丽; 崔译方; 高博; 陈达; 王刚 刊期：2020年第01期

    为了制备氮-磷共掺杂石墨烯量子点(N,P-GQDs)以探索其荧光性质的可调性,我们采用水热法以柠檬酸为碳源,六氯三聚磷腈为氮源、磷源,制备出了蓝色光致发光的氮-磷共掺杂石墨烯量子点(N,P-GQDs)。通过一些测试表征可以发现:制备的N,P-GQDs尺寸分布均匀,其横向平均尺寸约4.8 nm,晶格间距为0.24 nm,纵向平均厚度约0.95 nm。在光学性能测试中,观察到N,...

  • ZnNb2-xTaxO6(x=0~2.0)材料电子结构与光学性质的第一性原理计算

    作者：闫宇星; 汪帆; 李付绍; 张珏璇; 王红成; 黄一凤; 沈静秋; 罗祖君; 高鹤榕 刊期：2020年第01期

    采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一性原理方法,理论研究了不同计量Ta掺入ZnNb2O6材料的光电特性。通过对ZnNb2-xTaxO6(x=0~2.0)材料键结构和态密度的计算,并结合带间电子跃迁分析了材料的介电函数、折射率、反射率以及吸收系数。计算结果显示:(1)ZnNb2-xTaxO6(x=0~2.0)为间接半导体,带隙随着Ta原子的掺入呈下降趋势(x=0,Eg=3.51eV;x=2,Eg=2....

  • 光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

    作者：陈澜; 吴瑾照; 龙浩; 史晓玲; 应磊莹; 郑志威; 丘志仁; 张保平 刊期：2020年第01期

    围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质。样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱。计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47。光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)...

  • 基于环形芯光纤的超低差分模式增益涡旋光纤放大器

    作者：古皓; 汤敏; 曹敏; 芈月安; 陶洪; 李雪健; 任文华; 简伟; 任国斌 刊期：2020年第01期

    提出了一种基于环形芯铒离子部分掺杂光纤的涡旋光纤放大器。针对该掺铒光纤的放大特性,研究了光纤长度、掺铒浓度与抽运功率对信号模式增益特性的影响。研究结果表明,该光纤放大器能够支持22个轨道角动量模式稳定传输,且C波段(1530~1565 nm)所有信号模式增益大于23 dB,信噪比高于27 dB,差分模式增益小于0.015 dB。所提出的基于环形芯光纤的涡旋...

  • 基于石墨烯量子点的被动调Q Nd∶YVO4激光器

    作者：丁蓉; 常建华; 孔春霞; 石少杭; 戴瑞 刊期：2020年第01期

    采用水热法制备了石墨烯量子点(GQDs)可饱和吸收体(SA)。对GQDs SA的光学特性进行表征,估算出其调制深度为6.9%。将GQDs作为SA应用于二极管端面泵浦Nd∶YVO4激光器,实现了1063.5 nm处的被动调Q激光输出。在吸收泵浦功率为9.12 W时,输出脉冲的重复频率为1.64 MHz,脉冲宽度为200 ns,对应的脉冲能量为0.51μJ,峰值功率为2.5 W。

  • SU-8光栅结构中的液晶激光特性

    作者：乌日娜; 卢佳琦; 杨帆; 张楠; 郭宋明; 岱钦 刊期：2020年第01期

    设计制作了SU-8光栅结构的染料掺杂手性向列相液晶激光器件,在器件正面和侧面均实现了随机激光辐射。将激光染料PM597、手性剂S-811、向列性液晶TEB30A按一定比例均匀混合,注入反平行摩擦处理的液晶盒中,器件的下基板通过光掩模法刻蚀出周期为15μm的光栅。利用532 nm的Nd∶YAG固体脉冲激光器作为泵浦源,器件的侧面既在580~590 nm范围内出现了多...

  • 基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能

    作者：刘婷婷; 李淑红; 王文军; 刘云龙; 都辉; 王庆林; 赵玲; 高学喜 刊期：2020年第01期

    为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之...

  • 发光薄膜沉积技术中薄膜晶体管的优化设计

    作者：朱筱珂; 梁依倩; 刘琳琳; 刘仰辉; 侯一曼 刊期：2020年第01期

    为了能制备高均匀性、大尺寸高清RGB-OLED显示终端,发展了一种全新的、无掩膜低成本的彩色薄膜沉积技术——薄膜晶体管导向的薄膜沉积技术,并研究了薄膜晶体管的宽长比及栅压对电聚合发光薄膜性能的影响,寻找最佳的制备条件。实验中采用像素尺寸大小为200μm×200μm的AMOLED基板,通过TFT来控制发光薄膜在ITO像素上的电化学聚合过程。首先对不同宽...

  • 基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器

    作者：何伟欣; 何立铧; 陈惠鹏; 张国成 刊期：2020年第01期

    由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功...

  • 新型低功耗金属氧化物TFT集成行驱动电路

    作者：林奕圳; 胡宇峰; 周雷; 吴为敬; 邹建华; 徐苗; 王磊; 彭俊彪 刊期：2020年第01期

    金属氧化物薄膜晶体管(TFT)属于耗尽型器件,其集成的TFT的行驱动电路一般采用双负电源方案,存在与驱动芯片的匹配困难和功耗较大的不足。本文设计了一种新型耦合电路结构,可以产生比负电源更低的电压从而完全关闭输出模块的下拉晶体管,防止氧化物TFT耗尽模式引起的电流泄露问题,并由此设计了新型氧化物TFT行驱动电路拓扑。由于只采用一个负...

  • 狭缝中蒸发水分子的红外吸收光谱

    作者：程广壮; 朱翠凤; 张美婷; 李春; 元光 刊期：2020年第01期

    本文研究了硅片狭缝内水分子蒸发过程中的红外光谱吸收特性。通过改变相对于硅片狭缝的红外光偏振方向(水平:偏振方向与硅片狭缝方向平行;垂直:偏振方向与硅片狭缝方向垂直),测量了水分子在3900~3600 cm-1(伸缩振动)和1800~1400 cm-1(弯曲振动)的偏振红外光吸收。结果表明,经硅片间隙蒸发出来的水分子,在3900~3600 cm-1(伸缩振动)和1800~1400 cm...

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