发光学报

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Chinese Journal of Luminescence

杂志简介:《发光学报》杂志经新闻出版总署批准,自1970年创刊,国内刊号为22-1116/O4,是一本综合性较强的科学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:特邀报告、封面文章、特邀综述、材料合成及性能、器件制备及器件物理、发光产业及技术前沿

主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会发光分会;中国科学院春光学粘密机械与物理研究所
国际刊号:1000-7032
国内刊号:22-1116/O4
全年订价:¥ 1060.00
创刊时间:1970
所属类别:科学类
发行周期:月刊
发行地区:吉林
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.98
复合影响因子:0.79
总发文量:2748
总被引量:12279
H指数:30
引用半衰期:3.44
立即指数:0.0615
期刊他引率:0.7673
平均引文率:11.8667
  • K2SiF6∶Mn^4+荧光粉湿热环境下的劣化行为

    作者:陈沙然; 邵起越; 董岩; 蒋建清 刊期:2018年第06期

    研究了白光LED用K2Si F6∶Mn^4+红色荧光粉湿热环境下的发光性能劣化规律及机理。结果表明,环境中水汽的侵蚀可导致K2Si F6∶Mn^4+荧光粉发光性能劣化,且温度升高可加剧该劣化过程。85%湿度/70℃下处理6 h,K2Si F6∶7%Mn^4+荧光粉相对亮度降至初始值的25%。荧光粉中Mn^4+含量越高,湿热条件下的性能劣化越显著。基于湿热处理前后荧光粉的XRD...

  • 小尺寸NaLuF4∶Yb^3+/Tm^3+纳米晶的生长及上转换发光

    作者:李洋洋; 李大光; 张丹; 秦伟平 刊期:2018年第06期

    为了详细地探究NaLuF4纳米晶的生长过程,利用自主研发的可以精确控制实验参数的自动纳米合成仪制备了不同系列的NaLuF4∶Yb^3+/Tm^3+纳米材料。对不同反应温度下(285,295,305℃)制备的样品进行物相分析,发现随着反应时间的增加,NaLuF4纳米晶均遵循相似的生长规律,即α-相→α-相+β-相→均匀的β-相→聚集的β-相。在不同温度下,均有一个时间段...

  • Eu^3+掺杂的铌酸钠钾陶瓷的制备及性能研究

    作者:王威; 万众; 伦蒙蒙; 邢志丰; 王银珍 刊期:2018年第06期

    采用固相烧结法制备了Eu^3+掺杂的铌酸钠钾(KNN)陶瓷。用X射线粉末衍射仪、荧光光谱测试仪和LCR精确阻抗测试仪等对其结构、发光性能和介电性能进行表征。XRD结果显示样品为钙钛矿结构。荧光分析结果表明,致密度对KNN陶瓷材料发光性能有一定的影响,Eu^3+掺杂量是影响其发光性能的重要因素。其中掺杂Eu摩尔分数为4%的样品在930℃焙烧后其发光...

  • 工业级纳米绒面多晶硅太阳电池的制备及其性能研究

    作者:邱小永; 赵庆国; 陆波; 何一峰; 李小飞; 张帅; 吕文辉 刊期:2018年第06期

    基于产线工艺制备了纳米绒面多晶硅太阳电池,并表征其光电转换性能。研究结果表明:相对传统微米绒坑,纳米绒面能够提升多晶硅太阳电池的短路电流,相应的光电转换效率绝对值提升大于0.4%,产线均值光电转换效率超过了19.1%。结合漫反射光谱和外量子效率测试结果,改进的光电转换的原因归结为纳米绒面能够有效地诱捕短波和长波太阳光子,增强短波和...

  • Na或Cu掺杂对Si/NiO异质结的光电性能影响

    作者:李彤; 王铁钢; 范其香; 刘真真; 王雅欣; 赵新为 刊期:2018年第06期

    利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明,Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。此时,Si/NiO∶Na异质结光学透过率可以达到70%,这可能是由于Si/NiO∶Na异质结的结晶质量较优、薄膜内缺陷少所致。Si/NiO∶Na异质结I-V曲线的拟合结果显示界面态状态也会影响其整流特性。而Si/NiO和Si/NiO∶Cu异质结都没能...

  • 有机分子PTCDA在P型Si单晶(100)晶面的生长机理

    作者:张旭; 张杰; 张福甲 刊期:2018年第06期

    对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100)。利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相。利用XPS对样品测试得出,在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合,...

  • Zn(1-x)MgxO电子结构及光学性质的第一性原理GGA+U方法研究

    作者:何旭; 武莉莉; 任胜强; 张静全; 都政 刊期:2018年第06期

    Mg掺杂ZnO形成的固溶体Zn(1-x)MgxO(ZMO)(0≤x≤0.25)是一种带隙较宽、电子学性质可调控的半导体材料,在薄膜太阳电池及光电设备的透明电极等方面具有重要的应用价值。基于密度泛函理论下的第一性原理超软赝势方法,采用GGA+U计算了ZMO的电子结构和光学性质。计算结果表明,随着x值的增加,ZMO的禁带宽度由x=0时的3.32eV增加到x=0.25时的3.7...

  • 全光纤调Q激光器腔内脉宽压缩技术

    作者:曹康; 秦文斌; 葛廷武; 吴迪; 贾冠男; 闫岸如; 曹银花; 王智勇 刊期:2018年第06期

    为了压缩MOPA全光纤调Q激光器脉冲宽度,对谐振腔基本参数进行了研究。首先,根据速率方程理论推导出脉冲宽度的表达式,通过数值解建立表达式参数与脉冲宽度的关系。然后,分析增益光纤长度、腔镜输出透过率、Q开关性能等谐振腔基本参数对全光纤调Q种子源输出脉冲宽度的影响并通过实验来逐一验证结果。最后,通过优化的参数搭建全光纤调Q激光器,在重...

  • 中间层对三原色白光OLED的影响

    作者:王培; 王振; 郑新; 柳菲; 陈爱; 谢嘉凤; 王玉婵 刊期:2018年第06期

    基于ITO/NPB/TCTA/Ir(MDQ)2(acac)∶TCTA/FIrpic∶TmPyPb/Ir(ppy)3∶TmPyPb/TmPyPb/LiF/Al结构的三原色白光器件,通过分别在蓝光与红光、绿光发光层界面处插入2nmTCTA与2nmTmPyPb中间层,研究了中间层的有无对器件性能的影响。结果表明,中间层的引入可以调整激子的分布,影响能量转移。具有双中间层的器件实现了高质量的白光发射,最大发光效...

  • CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究

    作者:徐守龙; 邹树梁; 黄有骏; 郭赞; 匡雅 刊期:2018年第06期

    为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性。通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究。研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均...

  • 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管钼/铜源漏电极的研究

    作者:张磊; 刘国超; 董承远 刊期:2018年第06期

    针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZOTFT)的钼/铜源漏电极开展研究。实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小。为了实现优势互补,我们设计了双层Mo(20nm)/Cu(80nm)源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该...

  • 基于LD双端面泵浦的Nd∶YAG高效率倍频激光器

    作者:范嗣强; 李麒麟; 路永乐 刊期:2018年第06期

    报道了一种利用激光二极管(LD)双端面泵浦的Nd∶YAG激光晶体,Cr^4+∶YAG晶体被动调Q,LBO临界相位匹配腔内倍频的高转换效率的绿光激光器。分析了双端面泵浦YAG激光器的热效应,实验中LD双端面泵浦,采用U型平行平面腔结构对Nd∶YAG进行传导冷却。当总泵浦光为33.8 W时,得到被动调Q频率10 KHz、功率8.21 W的线偏振基频光输出。6.72 W的绿光输出...

  • 氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响

    作者:唐鹿; 薛飞; 郭鹏; 罗哲; 李旺; 李晓敏; 刘石勇 刊期:2018年第06期

    采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,...

  • 高光束质量垂直腔面发射激光器同相耦合阵列

    作者:许坤; 付林杰; 钟发成; 杜银霄; 荀孟 刊期:2018年第06期

    质子注入型面发射激光器相干耦合阵列能够实现同相模式的激射,但是由于制作过程中的工艺不均匀性引起单元间存在相位差,影响光束的质量。本文通过设计分离电极结构,使每个单元注入的电流得到分别的控制,实现了3单元三角排列阵列高光束质量同相耦合模式的激射。阵列远场发散角仅为3.4°,大约有25.6%的全部能量聚集在中心光斑。激射光谱的线宽为0.2...

  • AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响

    作者:井红旗; 倪羽茜; 刘启坤; 仲莉; 孔金霞; 王鑫; 刘素平; 马骁宇 刊期:2018年第06期

    为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuS...