发光学报

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Chinese Journal of Luminescence

杂志简介:《发光学报》杂志经新闻出版总署批准,自1970年创刊,国内刊号为22-1116/O4,是一本综合性较强的科学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:特邀报告、封面文章、特邀综述、材料合成及性能、器件制备及器件物理、发光产业及技术前沿

主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会发光分会;中国科学院春光学粘密机械与物理研究所
国际刊号:1000-7032
国内刊号:22-1116/O4
全年订价:¥ 1060.00
创刊时间:1970
所属类别:科学类
发行周期:月刊
发行地区:吉林
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.98
复合影响因子:0.79
总发文量:2748
总被引量:12279
H指数:30
引用半衰期:3.44
立即指数:0.0615
期刊他引率:0.7673
平均引文率:11.8667
  • 基质中非4f组态的电子态对Pr3+离子发光的影响(英文)

    作者:刘峰; 王笑军 刊期:2017年第01期

    三价镨离子(Pr3+)是一种备受关注的稀土发光离子。学者们在过去几十年里对其发光性质进行了大量的理论和实验研究。在不同的基质材料中,由于非4f组态的电子态与Pr3+离子发光能级相互作用,Pr3+离子可以展现从紫外到红外波段的不同特征的光发射。影响Pr3+离子发光的这些电子态可能源于4f5d激发组态、电荷迁移态或类激子态。本文中,我们以几种具有...

  • YVO4∶Yb3+,Er3+纳米粒子颜色可控的高色纯度上转换发光

    作者:付姚; 史月; 王朝阳; 邢明铭; 田莹; 罗昔贤; 冷静 刊期:2017年第01期

    采用共沉淀法制备了四方相锆石型结构YVO4∶Yb3+,Er3+纳米粒子。粒子表面光滑,结晶良好,呈类球状,粒径80 nm。在980 nm和1 550 nm红外激发下,粒子呈现类似的特征发射,峰位位于634706 nm的红光和513573 nm的绿色分别归因于Er3+离子4F9/2→4I15/2和2H11/2,4S3/2→4I15/2能级间的辐射跃迁。通过激发光波长控制,在同组分粒子中实现了颜色可控的高色...

  • NaY1-x(MoO4)2∶xEu3+的制备及发光性能

    作者:冯昕钰; 樊国栋; 魏晓晓; 张国贤 刊期:2017年第01期

    采用高温固相法成功制备了一系列新型NaY1-x(MoO4)2∶xEu3+荧光粉。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱仪对其晶型结构、微观形貌以及发光性能进行了表征。结果表明,所得样品呈白钨矿结构,空间点群结构为I41/a,属于四方晶系结构,颗粒尺寸在75260 nm之间。在466 nm激发下,样品发射出波长为615 nm的红光。通过对样品的荧光寿命...

  • 新型PVA荧光凝胶的制备及光物理性能研究

    作者:邹丹丹; 苏艳; 杨朝龙; 李又兵 刊期:2017年第01期

    为了开发一系列能够在纯水介质中使用的荧光凝胶材料,以TbCl3·6H2O和乙酰丙酮(ACAC)为初始原料合成了铽配合物Tb(ACAC)3·2H2O,并对其结构进行了表征。然后将铽配合物Tb(ACAC)3·2H2O以不同的质量分数引入到PVA基质中,在交联剂硼酸的作用下形成荧光凝胶。利用FTIR、PL、DSC、TGA等对其结构、发光性能及其热性能进行了研究。FTIR结果表明,铽...

  • Zn、Cu共掺杂TiO2∶SiO2薄膜材料的光学性能研究

    作者:伞靖; 魏长平; 孙双; 何瑞英; 彭春佳 刊期:2017年第01期

    用溶胶-凝胶法制得Zn、Cu共掺杂的TiO2∶SiO2凝胶,旋转法于玻璃基底涂膜,制得Zn、Cu共掺杂的TiO2∶SiO2薄膜,探讨了煅烧温度、煅烧时间及掺杂比例对其结构、形貌和性能的影响。采用XRD、FESEM、FTIR等测试技术对薄膜进行表征,并考察了其对甲基橙的光催化降解性能。XRD测试结果显示:薄膜样品的晶型为锐钛矿型,结晶良好。SEM谱图显示:薄膜微粒粒径...

  • 基于气炼法Yb2+/Yb3+共掺石英玻璃制备及光谱特性的研究

    作者:王超 刊期:2017年第01期

    提出利用气炼法制备Yb2+/Yb3+共掺石英玻璃,通过增加辅助加热装置来控制Yb3+和Yb2+离子间的转化过程,并对不同条件下制备的Yb2+/Yb3+共掺石英玻璃的吸收特性和发射特性进行了研究。由于Yb2+离子的4f14→4f13 5d能级跃迁,经过辅助加热制备的Yb2+/Yb3+共掺石英玻璃有着更强的吸收强度和更多的吸收峰,并且其吸收光谱的尾部向更长波长延伸,同时也可...

  • Ce3+和Tb3+掺杂钆-钡-硅酸盐闪烁玻璃的发光性能

    作者:张勇; 吕景文; 韩冰; 姜东月; 陈亮东 刊期:2017年第01期

    采用高温熔融法制备Ce3+或Tb3+单掺和Ce3+/Tb3+共掺钆-钡-硅酸盐闪烁玻璃。通过透射光谱、光致激发和发射光谱、X射线激发发射光谱及荧光衰减曲线等手段对其发光性能进行研究。实验结果表明:在紫外光的激发下,Tb3+掺杂闪烁玻璃发出明亮的绿光(544 nm),而Ce3+掺杂闪烁玻璃发出蓝紫光。对于Ce3+/Tb3+共掺闪烁玻璃,在紫外光和X射线激发下均观察到...

  • 基于YAG∶Ce3+荧光材料的中子管靶点表征方法

    作者:李刚; 臧帅普; 乔双; 张昕彤 刊期:2017年第01期

    为实现伴随粒子中子管研究中的小靶点表征,设计了一种基于YAG∶Ce材料的模块化荧光靶体,给出了一种靶点实时监视与测量的方法。利用该方法实现了伴随粒子中子管最小4 mm直径靶点的实验工作。研究中在可更换的荧光靶面上经过激光雕刻阵列化后,能够分辨毫米级甚至亚毫米级的靶点大小。经过长时间高能离子束轰击后的YAG∶Ce材料靶面能够持续发光,未...

  • Tm3+/Er3+/Yb3+掺杂的镓锗酸盐玻璃光谱性能及能量传递

    作者:石冬梅; 赵营刚 刊期:2017年第01期

    采用熔融淬冷法制备得到透明的Tm3+/Er3+/Yb3+掺杂镓锗钠玻璃。对比研究了808 nm和980 nm激发下Tm2O3含量对样品可见-红外光学光谱特性的影响。结合稀土离子能级结构,分析了Tm3+、Er3+和Yb3+离子之间的能量传递机制。结果表明:在808 nm和980 nm的激发下,Tm3+/Er3+/Yb3+掺杂样品中均观察到了473,655,521,544 nm的蓝、红和绿光。在808 nm激发下,随...

  • 量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330nm AlGaN基深紫外LED光电性能

    作者:王福学; 叶煊超 刊期:2017年第01期

    为了研究AlGaN量子阱层和垒层中Al组分不同对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)光电性能的影响,本文利用MOCVD生长、光刻和干法刻蚀工艺制备了AlGaN量子阱层和垒层具有不同Al组分的270/290/330nm深紫外LED,通过实验和数值模拟计算方法发现,量子阱层和垒层中具有低Al组分紫外LED的AlGaN材料具有较低的位错密度、较高的光输出功率和外量子效率。通过电...

  • InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

    作者:刘诗涛; 王立; 伍菲菲; 杨祺; 何沅丹; 张建立; 全知觉; 黄海宾 刊期:2017年第01期

    通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-...

  • Ta2O5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响(英文)

    作者:石晓东; 王伟; 李春静; 任利鹏; 尹强 刊期:2017年第01期

    选用五氧化二钽(Ta2O5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在Ta2O5表面旋涂一层PMMA可以降低栅绝缘层的表面粗糙度,增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在2060 nm范围内的PMMA对复合绝缘层表面形貌、粗糙度以及器件电学性能的影响。结果表明,当PMMA厚度为40 nm时,器件的电学性能...

  • OLED薄膜干燥剂的制备及其对OLED的影响

    作者:刘晋红; 张方辉 刊期:2017年第01期

    有机电致发光显示器对水和氧气非常敏感,渗入器件后会和有机功能层及电极材料反应而影响器件的寿命及稳定性。本文提出了一种液体可涂覆干燥剂的制备方法,采用了氯化物干燥剂和价格低廉的阳离子成膜剂结合合成一种具有很好成膜性、且吸水效果很强的涂覆干燥剂。封装240 h后,使用薄膜干燥剂的器件的亮度分别为平均值的103.5%、83.3%以及119.8%,效...

  • 电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响

    作者:马航; 李邓化; 陈雯柏; 叶继兴 刊期:2017年第01期

    针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的注...

  • 电子传输层厚度及阻塞层对量子点发光二极管性能的影响

    作者:马航; 李邓化; 陈雯柏; 叶继兴 刊期:2017年第01期

    针对量子点发光二极管(QLED)中载流子注入不平衡的问题,对空穴和电子在量子点层的注入速率进行了研究。制备了不同电子传输层厚度、结构为ITO/PEDOT∶PSS/Poly-TPD/QDs/Alq3/Al的QLED样品。Alq3厚度由25 nm逐步递增至45 nm时,器件的开启电压升高,器件均发出量子点的红光。当Alq3厚度为30nm时,器件的电流效率最高。此时,空穴和电子在量子点层的...