发光学报

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Chinese Journal of Luminescence

杂志简介:《发光学报》杂志经新闻出版总署批准,自1970年创刊,国内刊号为22-1116/O4,是一本综合性较强的科学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表科学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:特邀报告、封面文章、特邀综述、材料合成及性能、器件制备及器件物理、发光产业及技术前沿

主管单位:中国科学院
主办单位:中国物理学会发光分会;中国科学院春光学粘密机械与物理研究所
国际刊号:1000-7032
国内刊号:22-1116/O4
全年订价:¥ 1060.00
创刊时间:1970
所属类别:科学类
发行周期:月刊
发行地区:吉林
出版语言:中文
预计审稿时间:1-3个月
综合影响因子:0.98
复合影响因子:0.79
总发文量:2748
总被引量:12279
H指数:30
引用半衰期:3.44
立即指数:0.0615
期刊他引率:0.7673
平均引文率:11.8667
  • 混合碱液法生长的氧化锌晶体表面形貌及光致发光性质

    作者:赵兰玲 王继扬 Robert I BOUGHTON 李静 张素芳 韩树娟 刊期:2012年第09期

    从NaOH和LiOH的混合碱液中生长了具有不同六方形貌的淡黄色ZnO晶体。采用X射线粉末衍射的方法对晶体的物相进行了分析,利用光学显微镜和扫描电镜对晶体的形貌进行了表征,同时利用电子探针能谱仪对晶体的组分进行了分析。从晶体的室温光致发光谱图中可以观测到380,445,512,652 nm处存在与晶体结构和缺陷相关的发射峰。

  • ZnCuInS量子点的变温光致发光

    作者:陈肖慧 王秀英 赵家龙 刊期:2012年第09期

    测量了红色和深红色发光的ZnCuInS量子点在100~300 K温度范围内的光致发光光谱,研究了ZnCuInS量子点的发光机理,对ZnCuInS量子点的发光峰值能量、线宽和积分强度与温度的关系进行了细致的分析。在ZnCuInS量子点中观察到一种反常的发光峰值能量随着温度升高而增加的现象,同时发现ZnCuInS量子点的发光线宽很宽,约为300 meV,拟合积分强度与温度的...

  • 白光LED用正交相Gd2(MoO4)3∶Dy3+荧光粉的制备与发光性能

    作者:袁桃利 夏婉婉 于宏柱 张成山 张方程 段佩华 王晓峰 付作岭 刊期:2012年第09期

    利用水热法并经过退火煅烧制备了白光LED用正交相Gd2(MoO4)3∶Dy3+荧光粉,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对样品的结构和微观形貌进行表征,利用荧光光谱对其发光性质进行了研究。在389 nm的紫外光激发下,4F9/2→6H15/2跃迁产生的蓝光发射和4F9/2→6H13/2跃迁产生的黄光发射最强。发光光谱分析结果表明,Dy3+的最佳掺杂量为x=16%。此时荧光粉...

  • Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响

    作者:张仕凯 张宝林 史志锋 王辉 夏晓川 伍斌 蔡旭浦 高榕 董鑫 杜国同 刊期:2012年第09期

    采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍...

  • 新型白光LED的光谱特性和相关结温特性

    作者:胡长奇 张方辉 张静 刊期:2012年第09期

    利用蓝光LED芯片激发[Ru(dtb-bpy)3]2+(PF6-)2和YAG混合荧光粉的方法制备了新型白光LED,研究了随着[Ru(dtb-bpy)3]2+(PF6-)2含量的增加而引起的白光LED光谱特性的变化。当[Ru(dtb-bpy)3]2+(PF6-)2的质量分数为1.5%时,白光LED的显色指数达到83.2,效率相对于其含量为0%时下降了约20%。另外,研究了结温对于一体化封装的该新型白光LE...

  • Tm3+,Yb3+共掺微晶玻璃蓝色上转换荧光的温度特性

    作者:郑龙江 高晓阳 徐伟 张治国 刊期:2012年第09期

    制备了Tm3+,Yb3+共掺氟氧化物微晶玻璃,在980 nm二极管激光器泵浦下研究了其上转换发光。发现将前驱玻璃进行热处理后,源于Tm3+的1G4能级到基态3H6跃迁所产生的蓝色上转换荧光在463 nm和476nm出现明显劈裂。在此基础上分析了该劈裂蓝色上转换荧光在303~623 K范围内的温度特性。结果表明:Tm3+,Yb3+共掺氟氧化物微晶玻璃蓝色上转换荧光可应...

  • Sr3Gd0.5-xTb0.5(BO3)3∶xEu3+的发光性质及能量传递

    作者:张园园 夏志国 吴微微 刊期:2012年第09期

    采用高温固相法制备了Sr3Gd0.5-xTb0.5(BO3)3∶xEu3+系列荧光粉,并研究了其发光性质与能量传递过程。Sr3Gd0.5-xTb0.5(BO3)3∶xEu3+系列荧光粉在300~400 nm的近紫外光有效激发下产生489,544,594,614,624 nm的发射谱线,分别对应于Tb3+和Eu3+的特征跃迁。荧光寿命测试表明,随着Eu3+掺杂浓度的增大,Tb3+寿命逐渐缩短,证实该体系中存在Tb...

  • 方波驱动法测定Alq3的电子迁移率

    作者:陈磊 李贵芳 陈玉焕 王明霞 闫东航 张吉东 秦大山 刊期:2012年第09期

    在非正弦波(方波)的驱动下,观察到了OLED中Alq3的电致发光现象。在高段方波驱动下,Alq3中的电子向阳极移动;在低段方波驱动下,Alq3中的电子向阴极移动。当方波的周期是电子穿过Alq3中所用时间的2倍时,Alq3中的电致发光现象完全消失。由此,可以计算出Alq3中的电子迁移率,得到的结果和文献的报道值相吻合。对Alq3中电子迁移率和厚度的关系进行了...

  • Rh掺杂的Ru2Si3的电子结构及光学性质

    作者:崔冬萌 贾锐 谢泉 赵珂杰 刊期:2012年第09期

    采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波计算方法,结合广义梯度近似(GGA)对Ru2Si3掺Rh原子的电子结构和光学性质进行了研究,计算结果表明:掺入Rh原子使得Ru2Si3的晶胞体积有所增大,Rh替换RuⅢ位的Ru原子使得体系处于稳定态,导电类型变为n型,静态介电函数值为ε1(0)=25.201 4,折射率n0的值有所增大为5.02。

  • 非均相沉淀法制备的Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉及其发光性能

    作者:彭杰 曾人杰 李郎楷 刊期:2012年第09期

    采用非均相沉淀法制备了Sr3-xSi1-xAlxO5∶xCe3+荧光粉,并与高温固相法制备的该荧光粉进行了对比。以XRD、SEM和荧光光谱分析来表征所制备的荧光粉。结果表明,非均相沉淀法比高温固相反应法制备的荧光粉相纯度更高,颗粒分布更窄,晶面清晰,团聚程度小,相对发光强度也更高。荧光粉的激发光谱为270~500 nm的双峰宽带,最强激发峰位于417 nm处。发...

  • 发光颜色可调的硅酸盐长余辉发光材料Ba4(Si3O8)2:Eu2+,Ce3+,Dy3+

    作者:龚宇 王明孝 任建波 王育华 刊期:2012年第09期

    在还原气氛下利用高温固相法制备了Ba3.982-x(Si3O8)2∶0.008Eu2+,xCe3+,0.01Dy3+系列样品。光谱分析表明,Ce3+进入到晶格中将取代不同Ba2+格位从而形成不同的发光中心。通过Ce3+→Eu2+的能量传递,得到了一系列发光颜色可调、余辉颜色为绿色的长余辉发光材料。Ce3+的掺入可以增大样品的余辉强度但是同时缩短了样品的余辉时间。热释光...

  • Er:YbF3转光薄膜的制备及衬底温度对其光学性能的影响

    作者:张影 王如志 王祥夫 曲铭浩 李开宇 颜晓红 严辉 刊期:2012年第09期

    采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上成功制备了具有上下转换的Er∶YbF3转光薄膜。研究发现,所制备的Er∶YbF3转光薄膜实现了上下转换两种机制的结合,能有效地把紫外光和红外光转换到非晶硅太阳能电池最佳响应范围内的656 nm处。进一步分析了衬底温度对薄膜相结构及光学性能影响的物理机制。当衬底温度高于500℃时,薄膜会随着温度的升...

  • MOCVD外延生长AlGaAs组份的在线监测

    作者:王鹏程 徐华伟 张金龙 宁永强 刊期:2012年第09期

    利用反射各向异性谱(RAS)和反射谱在线监测了AlxGa1-xAs样品的金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)外延生长过程。通过在线监测得到的RAS和反射谱可以敏感地反映出AlxGa1-xAs外延层组份发生的变化,从而优化外延生长工艺。实验表明,反射谱中的振荡周期可以在线计算组份和生长速率,利用反射谱中的振荡的第一个最小值与Al组份的线性关系,可以确定渐...

  • 基于酞菁铜的有机光敏场效应管

    作者:谢吉鹏 吕文理 杨汀 姚博 彭应全 刊期:2012年第09期

    制备了基于酞菁铜(CuPc)的有机光敏场效应晶体管,对器件的光敏特性进行了研究。实验结果表明,基于金源漏电极的器件,在波长655 nm,光强100 mW/cm2的光照下,明/暗电流比约为0.4,光响应度约为2.55 mA/W;而铝为源漏电极的器件,可以获得高达104的明/暗电流比,但光响应度降低为0.39 mA/W。

  • 碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响

    作者:蒋玉荣 秦瑞平 边长贤 黄静 胡晓峰 杨海刚 马恒 常方高 刊期:2012年第09期

    采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明:与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低;光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象。最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵...