发光学报杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

CuI晶体及其缺陷态电子结构的模拟

作者：顾牡; 刘峰松; 张睿 刊期：2004年第04期

利用相对论密度泛函理论和嵌人分子团簇方法,模拟计算了具有闪锌矿结构的y态CuI晶体及其缺陷态的电子结构.结果显示晶体的本征能级结构:价带顶主要由I5p和Cu3d轨道杂化组成,导带底由Cu4s轨道组成,禁带宽度为3.1 eV,该结果与实验相符.在不同缺陷态的计算中,四面体间隙铜缺陷相对其他间隙缺陷更易于在晶体中形成,其中Cu3d→4s跃迁能量为3.2eV,推测...

抛物量子点中强耦合磁极化子的性质

作者：陈时华; 肖景林 刊期：2004年第04期

采用Pekar类型的变分方法研究了抛物量子点中强耦合磁极化子的基态和激发态的性质.计算了基态和激发态磁极化子的束缚能以及磁极化子的共振频率.讨论了这些量对回旋频率和有效限制强度的依赖关系,以及磁极化子光学声子平均数的性质,结果表明:由于Zeeman劈裂,抛物量子点中磁极化子的回旋共振频率劈裂为两支.基态和激发态磁极化子的束缚能以及磁极...

2002年物理学类科技期刊影响因子排序（前10名）

刊期：2004年第04期

GdB3O6中Gd^3＋的级联发射特性

作者：杨智; 陶冶; 王宇飞; 李国宝; 杨海; 李永明; 阿芳 刊期：2004年第04期

报道了Gd3+离子在GdB306基质中的光子级联发射特性.用Hitachi M850荧光分光光度计测定了Gd3+6GJ能态的位置和Gd3+离子的光子级联发射光谱,Gd3+离子的第一个光子发射为6GJ→6PJ(～600 nm)和6GJ→6IJ(～780 nm),第二个光子的发射为6PJ→8S7/2(～310 nm).由于6D9/2与6l11/2间能级差(～2 900 cm-1)和6I7/2与6PJ间能级差(～3 900 cm-1)较小,多声子弛...

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刊期：2004年第04期

980nm激光激发下Er^3＋和Yb^3＋共掺杂氟氧玻璃的上转换发光

作者：程丽红; 曹望和; 夏天 刊期：2004年第04期

制备了一种新型的上转换发光材料,它不仅具有较高的上转换发光效率,而且还避免了氟化物基质的缺点.其组分为58.52%PbF2-34.43%CeO2-3%A12O3-0.05%Er2O3-4%Yb2O3,其中CeO2为玻璃形成体氧化物,PBF2和A12O3为调整剂,以共掺杂Er3+和Yb3+离子为上转换研究的对象.测量了该玻璃系统在980 nm半导体激光器激发下的上转换发光光谱,观察到很强的658 nm的红...

《发光学报》被日本《科学技术文献速报》（CBST，JICST）收录为源期刊

刊期：2004年第04期

草酸沉淀法制备细颗粒红色荧光粉Y2O3：Eu^3＋的发光特性

作者：孙曰圣; 屈芸; 肖监谋; 陈达 刊期：2004年第04期

对草酸作为沉淀剂制备的细颗粒红色荧光粉Y2O3:Eu3+进行结构和发光特性研究,结果表明:其一次粒径为20～30 nm,团聚尺寸D50=0.53 μm.该荧光粉最大激发峰位于252.2 nm,较微米级荧光粉233 nm红移了19.2 nm;最大的发射峰位于612 nm,与微米级的相比几乎没有差别.Eu3+离子的掺入构成了发光中心,其最佳掺杂的质量分数为9%,荧光粉发光的猝灭浓度由微米级...

《发光学报》——中文核心期刊（物理学类；无线电电子学、电信技术类）

刊期：2004年第04期

Yb^3＋，Er^3＋双掺上转换玻璃陶瓷

作者：杨魁胜; 梁海莲; 张希艳 刊期：2004年第04期

制备了以PbF2+GeO2+WO3+SiO2+NaF为基质组分的yb3+,Er3+双掺稀土离子上转换发光玻璃陶瓷.采用日本产Hitachi F-4500荧光光度计,激发波长为980 nm,观测到样品在550 nm处出现较强的上转换发光峰,在528 nm处有一个次发光峰,在650 nm处有一个相对较弱的发光峰,讨论了发射光谱的特征,建立上转换发光机制,并讨论了上转换发光特征,以及基质成分、制备工...

磁场下半导体GaAs／AlxGa1—xAs异质结中的杂质态

作者：张敏; 班士良 刊期：2004年第04期

对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系.结果表明,由于外界磁场使界面附近束缚于正施主杂质的单电子波函数的定域性增强,从而对杂质态的结合能有明显的影响,结合能随磁感应强度的增强而显著增大.还计算了杂质位置、电...

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刊期：2004年第04期

Si掺杂对AlGaInP／GaInP多量子阱性能的影响

作者：李述体; 范广涵; 周天明; 王浩; 孙慧卿; 郑树文; 郭志友 刊期：2004年第04期

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性能的影响.研究表明:掺Si能大大提高(Al0.3Gao7)0.5In0.5P/Gao5In0.5P多量子阱的发光强度.相对于未故意掺杂的样品,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和...

掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响

作者：陈贵楚; 范广涵; 陈练辉; 刘鲁 刊期：2004年第04期

在AlGaInP四元系双异质结发光二极管(DH-LED)的材料生长过程中,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性,这对LED的发光不利.通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况,得到了在不同的p型掺杂程度下,限制层Al组分与LED发光效率的关系,从而可以探索p型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律,得到的结论对于LED的器件结构设计以...

变分法计算ZnO量子点中激子的基态能

作者：王志军; 宋立军; 王之建; 李守春; 张金宝; 王泽恒; 吕有明; 申德振; 张吉英; 范希武; 元金山 刊期：2004年第04期

ZnO是一种新型宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温激子束缚能高达60 meV,远大于室温热离化能(26 meV),因此ZnO是适于室温或更高温度下使用的高效紫外发射材料.ZnO半导体量子点材料与体材料相比具有崭新的光电特性,特别在紫外激光器件方面,与ZnO的激子特性密切相关,因此理论上对ZnO量子点中激子的基态能(束缚能)的研究就显得十分必要.采用有效...