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有机电致发光白光器件的研究进展

作者：雷钢铁; 段炼; 王立铎; 邱勇 刊期：2004年第03期

在十多年的时间里,有机电致发光二极管(Organic Light-emitting Diodes,OLEDs)的研究和应用取得了长足的进展.有机电致发光器件具有许多优点,例如:自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低、成本低等,因此有机电致发光器件极有可能成为下一代的平板显示终端.有机电致发光白光器件因为可以用于全彩...

Zn（BTZ）2白色有机电致发光材料的合成及其器件制备

作者：郑加金; 华玉林; 印寿根; 冯秀岚; 吴晓明; 王树国; 孙媛媛; 李永舫; 杨春和; 帅志刚 刊期：2004年第03期

以PCl3为脱水剂,将邻氨基硫酚与水杨酸脱水环化合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑,并进一步将所得产物与乙酸锌反应合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2)材料.以该配合物作为发光层制备出结构为ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2/Al近白色电致发光器件,其色坐标位于白场之内(x=0.242,y=0.359),在驱动电压为16V时,亮度达3200 cd/m2,对应的量子效率为0.32...

镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射

作者：王会新; 李清山; 赵建平; 田海峰; 倪梦莹; 李媛媛; 曹小龙 刊期：2004年第03期

利用浸渍法将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔硅微腔中,制备了多孔硅微腔-Alq3镶嵌膜,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq3自发发射的微腔效应,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象.镶嵌于多孔硅微腔中的Alq3荧光光谱的半峰全宽只有15nm,而非微腔样品,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq3荧光谱半峰全宽在85 nm以上.并且有微腔时Alq3发光强度比没有微...

向您推荐《液晶与显示》期刊

刊期：2004年第03期

高等植物外周捕光天线LHCⅡ中的超快光动力学过程

作者：郭立俊; 郭俊华; 刘源; 徐春和; 钱士雄 刊期：2004年第03期

利用飞秒抽运-探测技术及时间分辨荧光(TRPL)等光谱技术对高等植物LHCⅡ中的超快光动力学过程进行了研究.在其时间分辨荧光光谱中表现出了明显的各向异性特性.实验上观察了LHCⅡ中色素间的能量传递过程,由飞秒动力学发现,单体内Chlb到邻近的Chla之间的能量传递在200～300fs的时间尺度,Chl a激子带间的能量弛豫发生在几百飞秒,不同单体Chl a分子...

胆红素与血红蛋白分子作用的发光光谱分析

作者：杨培慧; 郑志雯; 蔡继业 刊期：2004年第03期

利用荧光光谱技术研究了胆红素对血红蛋白分子中发光基团结构变化的影响及其与血红蛋白结合方式.结果表明,不同浓度的胆红素可以不同程度地猝灭血红蛋白荧光,导致330 nm处色氨酸残基荧光峰下降,410nm处荧光峰消失;pH值9.4时血红蛋白与胆红素以非静电引力如疏水作用、范德华力的协同作用结合,且随着作用时间的延长,荧光强度下降.血红蛋白中氨基酸...

《发光学报》——中文核心期刊（物理学类；无线电电子学、电信技术类）

刊期：2004年第03期

稀土粉末Eu：Y2O3的自由感应衰减量子拍

作者：罗莉; 丘志仁; 戴德昌; 余向阳; 周建英 刊期：2004年第03期

稀土固体是重要的激光和光电子材料.目前,由于以宽带信号和太赫兹比特数据传输率为特征的信息技术的发展,稀土固体材料的相干瞬态动力学过程成为宽带与高速信息光子学的基本物理问题之一.研究了室温下稀土粉末样品Eu3+:Y2O3自由感应衰减的相干瞬态光谱,这有助于理解有效的光吸收动力学、激发态弛豫、相干能量传递和超短光脉冲在稀土固体中的传播...

《发光学报》被日本《科学技术文献速报》（CBST，JICST）收录为源期刊

刊期：2004年第03期

柱形量子点中弱耦合磁极化子的性质

作者：赵翠兰; 丁朝华; 肖景林 刊期：2004年第03期

应用线性组合算符方法和幺正变换方法,研究在抛物势作用下的柱形量子点中磁极化子的性质.对ZnS量子点的数值计算表明,量子点中磁极化子的基态能量随特征频率、回旋共振频率的增大而增加,这是由于特征频率增加时振动能量、回旋共振频率增加时外磁场中的附加能量增加所致.当特征频率(或回旋共振频率)增加到某一值时,磁极化子能量由负变为正.基态能...

多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响

作者：王晓静; 王佐臣; 李清山; 王菲菲; 王桂珍 刊期：2004年第03期

不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因.对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响.认为在一定的范围内,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移,要获得较强的发光,需要选择合适的电流密度;随着腐蚀时间的延长,多孔硅的发光峰位也发...

第12届全国凝聚态光学性质学术会议（OPCM’2004）

刊期：2004年第03期

高功率AlGaAs／GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

作者：张素梅; 石家纬; 赵世舜; 胡贵军 刊期：2004年第03期

为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808 nn,腔长900 μm,条宽100μm,其外延结构与通常的808nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层,其厚度约为0.1 μm.为减小衬底表面位错对外延层质量的影响,在n+-G...

ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理

作者：施朝淑; 张国斌; 陈永虎; 林碧霞; 孙玉明; 徐彭寿; 傅竹西; Kirm; M; Zimmerer; G 刊期：2004年第03期

以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369.5,290nm.它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系,但其激发谱相同.强激发带不在近紫外区,而在真空紫外区(100～200nm),可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发.对三种紫外发射的来源作了分析讨论.

《发光学报》重要通知

刊期：2004年第03期