发光学报杂志 北大期刊 CSCD期刊 统计源期刊

MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性

作者：张德恒; 张锡健; 王卿璞; 孙征 刊期：2004年第02期

MgO和ZnO形成合金MgxZn1-xO的带隙可以在3.3～7.9 eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景.由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/MgxZn1-xO量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值.回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特...

氧化锌薄膜光电功能材料研究的关键问题

作者：傅竹西; 林碧霞 刊期：2004年第02期

氧化锌薄膜光电功能材料是近年来新发展起来的研究课题,由于它在短波长光电信息功能材料方面具有潜在的应用前景而备受关注.为了开发ZnO结型光电器件,目前首先需要解决高质量ZnO单晶薄膜的外延及p型掺杂等关键问题.综合国内外的研究结果,结合我们的工作,叙述了利用多晶格匹配原理通过过渡层在Si衬底上异质外延高质量ZnO薄膜,介绍了用SiC作过渡层...

欢迎订阅 欢迎投稿《光学精密工程》（双月刊）

刊期：2004年第02期

溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用

作者：刘超; 李建平; 孙国胜; 曾一平 刊期：2004年第02期

ZnO是一种重要的功能材料和新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料.采用溶胶-凝胶(Sol-gel)工艺在Si(100)、Si(111)和c面蓝宝石衬底上成功制备出高质量的ZnO纳米薄膜,并用XRD、SEM、AFM等方法研究了薄膜的特性.首次以制备的ZnO纳米薄膜为缓冲层,在n型Si(100)衬底上采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延生长了SiC薄膜,得到了低载流子浓度、高电子迁移率...

《发光学报》重要通知

刊期：2004年第02期

氧气后处理对氧化锌薄膜紫外发射性质的影响

作者：林碧霞; 傅竹西; 廖桂红 刊期：2004年第02期

为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的I-V特性的影响进行了研究.用直流反应溅射法在p型硅衬底上生长ZnO薄膜形成n-ZnO/p-Si异质结.在1000℃下用不同比例的氧和氮热处理,我们发现,在纯氮气中得到的样品有强的紫外发射(390nm),随氧气比例增大,紫外增强,同时绿光也产生并随之增强.但...

第12届全国凝聚态光学性质学术会议（OPCM’2004）

刊期：2004年第02期

ZnO薄膜的掺杂特性

作者：刘大力; 杜国同; 王金忠; 张源涛; 张景林; 马艳; 杨晓天; 赵佰军; 杨洪军; 刘博阳; 杨树人 刊期：2004年第02期

《发光学报》——中文核心期刊（物理学类；无线电电子学、电信技术类）

刊期：2004年第02期

MOCVD方法生长ZnO微米柱的结构与光学性质

作者：魏志鹏; 吕有明; 申德振; 刘益春; 赵东旭; 李炳辉; 张吉英; 范希武 刊期：2004年第02期

通过X射线衍射、扫描电子显微镜和变温光致发光光谱对MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上的ZnO微米柱材料的结构及发光特性进行了表征.X射线衍射结果表明,ZnO具有良好的c轴择优取向,扫描电子显微镜图中可观察出ZnO微米柱呈六角结构生长,半径约为0.5～1.5μm.样品的发光光谱通过He-Cd激光器的325 nm线激发,从光谱中发现低温(81 K)下出现极强的与激子相关...

《发光学报》编委会召开在长编委会议

刊期：2004年第02期

等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较

作者：常玉春; 杨晓天; 王金忠; 王新强; 刘博阳; 刘大力; 胡礼忠; 杜国同 刊期：2004年第02期

利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽～100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我...

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刊期：2004年第02期

用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜

作者：梁红伟; 颜建锋; 吕有明; 申德振; 刘益春; 赵东旭; 李炳辉; 张吉英; 范希武; 范景田 刊期：2004年第02期

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刊期：2004年第02期