首页 期刊 电子设计工程 功率器件的新结构及其性能特点 【正文】

功率器件的新结构及其性能特点

作者:王丹 关艳霞 沈阳工业大学信息科学与工程学院 辽宁沈阳110178
sjmosfet   超结   场截止   缓冲层  

摘要:介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS—IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS—IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。

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