摘要:介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS—IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS—IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
热门期刊服务
相关文章
影响因子:0.91
期刊级别:统计源期刊
发行周期:半月刊
期刊在线咨询,1-3天快速下单!
查看更多>
超1000杂志,价格优惠,正版保障!
一站式期刊推荐服务,客服一对一跟踪服务!