首页 期刊 电子技术与软件工程 高电子迁移率晶体管功率放大器的设计 【正文】

高电子迁移率晶体管功率放大器的设计

作者:徐浩然 上海电力大学; 上海市200090
gan   高电子迁移率晶体管   放大器   功率测试  

摘要:本文基于Ga N基高电子迁移率晶体管设计了一款宽带平衡功率放大器,并重点对平衡功率放大器、宽带匹配、耦合器、偏执电路以及电路的设计仿真做了重点说明,通过对电路进行功率测试分析,本放大器在10W功率性能上具有一定优越性,在30w功率达到了同等水平。

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