摘要：使用单片式外延炉生产的硅外延材料具有良好的厚度和电阻率均匀性.该外延炉具有良好的系统气密性、较大的生产能力、大直径外延(150～300mm)加工能力、较广阔的应用范围等优点,已经成为国际上硅外延片生产的发展主流.利用单片炉的各种优点,在150～200mm重掺砷和P型衬底上外延、150 mm BiCMOS薄层外延、150 mm SiGe和SOI外延等领域进行了生产应用.将所得性能参数和批式外延炉性能参数进行比较,获得的性能参数试验结果在原有基础上得到了很大的提高.实验研究结果应用于实际批量生产.

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