摘要：美国加利福尼亚大学已演示了据称第一个利用喇曼效应的硅（Si）激光器。这种发射波长为1675nm、具有25MHz重复频率时脉冲喇曼激光器采用硅波导作为增益介质，关键器件是硅上隔离的凸台波导和环绕该芯片的环形光纤。在9W峰值泵浦脉冲功率下获得激光阈值，并获得8．5％的斜效率。
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