摘要：目前氮化傢(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)受到了广泛的关注和应用,然而GaN HEMT在反向导通状态时存在较大的压降,死区时间引起的反向导通损耗会显著地影响变换器的效率,合理地设置死区时间具有重要意义。首先详细分析了死区时间内GaN HEMT的开关过程,得到了避免GaN HEMT反向导通过程死区时间的取值条件。然后,根据不同负载电流条件下死区时间的取值进行分析,提出了一种优化的死区时间设置方法。最后搭建了基于GaN HEMT的同步Buck变换器的样机,证明了死区时间设置方法的合理性。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社