摘要：针对传统非隔离拓扑在单极性脉宽调制（PWM）下存在的漏电流问题,研究了一种新型H5拓扑结构,通过引入一个绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和4个快恢复二极管,可有效抑制高频脉动下的共模电压,且在续流阶段,并网电流不会经过性能较差的IGBT体二极管,降低了系统开关损耗。实验结果表明：新型H5拓扑不但能有效抑制漏电流,而且比传统全桥结构逆变效率提高了1%。

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