摘要：逆变器高频运行时，开关损耗和死区影响问题更加突出。如何减小高频开关损耗，同时消除死区的影响是逆变器高频运行需要解决的关键问题。以高频SiC单相逆变器为研究对象，针对传统双极性调制存在的问题，设计了一种改进调制策略，利用SiC开关器件反并联二极管的续流特性，在半个工频周期内将2个开关一直处于关闭状态，不仅减小了高频开关损耗，而且避免了桥臂直通的风险，无需加入死区，消除了死区引起的负面影响，最后搭建了高频SiC逆变器进行了实验研究，结果验证了设计方案的有效性。

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