首页 期刊 电力电子技术 SiC Lateral Devices on Semi-insulating Substrate 【正文】

SiC Lateral Devices on Semi-insulating Substrate

作者:Chih-Fang; Huang National; Tsing; Hua; University; Hsinchu; 30013; China
碳化硅   技术创新   电荷补偿   阻断电压  

摘要:

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