摘要：以si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限。难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求。与传统的si器件相比，氮化镓（GaN）器件展现了其在导通电阻和栅极电荷上的优势，可使功率转换器实现更小体积、更高频率及更高效率，从而在汽车、通信、工业等领域中具有广阔的应用前景。然而。缺乏高速CaN栅极驱动是目前GaN功率转换器未能大力推广的主要原因之一。详细研究了增强型GaN功率器件驱动电路设计的各种问题，如效率、损耗、延迟时间、栅极振荡、自举电压上升、抗电压变化率干扰、死区时间、反向导通损耗及寄生效应等，并综述了针对上述问题的相应解决方法及优缺点，最后讨论了GaN栅极驱动的未来发展趋势。

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