摘要：碳化硅（SiC）功率金属．氧化物半导体场效应管（MOSFET）以其优越的性能受到广泛关注，但受限于器件设计和工艺技术水平，器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺，采用一氧化氮（NO）栅氧退火工艺技术研制出击穿电压为1800V、比导通电阻为8mΩ·cm^2的SiCMOSFET器件，测试评价了器件的直流和动态特性，关断特性显著优于SiIGBT。评估了SiCMOSFET器件栅氧结构的可靠性，器件的栅氧介质寿命及阈值电压稳定性均达到工程应用要求。

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