摘要：提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术，并在横向双扩散MOSFET（LDM0s）上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层，插入LDMOS的曲率结区域，从而将高掺杂的小曲率半径p-body／n．drift突变结调整为低掺杂的大曲率半径p-sub／n—drift结，降低了p-body／n．drift突变结的电场峰值，避免了在该处发生提前的雪崩击穿。该技术己成功应用于超结LDMOS，实验结果显示，应用了该技术的超结器件击穿电压达800V。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社