摘要：通过固相反应法制备CaCu3Ti4O12陶瓷（简称CCTO），采用X射线衍射仪（XRD）分析了CCTO陶瓷的相组成．采用Novocontrol宽频介电谱测试了CCTO陶瓷的介电温谱。通过分析介电温谱和阻抗温谱发现CCTO陶瓷的高频损耗起源晶粒电阻，中低频损耗起源晶界电阻，且晶粒电阻减小有助于高频损耗降低，增大晶界电阻有助于中低频损耗降低。另外，通过在不同温度下拟合CCTO陶瓷的高频松弛过程．认为晶粒电阻减小，松弛时间也减小，但是松弛时间的分散程度几乎不发生变化．且通过拟合松弛时间得到高频松弛的陷阱能级大小是0．097eV。

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