摘要：介绍了具有一维纳米结构的碳化硅（SiC）如SiC纳米棒、纳米线、纳米管、纳米带的制备方法，着重介绍了碳纳米管模板生长法、碳还原法、激光烧蚀法、电弧放电法、流动催化剂法和热解有机前驱体法以及它们的生长机理，并对这几种方法的优缺点进行了分析，指出了目前研究一维纳米SiC中存在的问题和未来发展方向。

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