摘要:采用APCVD工艺,以SiH4为原料在不同温度的玻璃基板上硅质薄膜的制备,采用划痕法测量薄膜与基板之间的附着力,研究了薄膜附着力随基板温度变化趋势.说明了吸附、扩散的增强以及沉积速率的增大等都会导致薄膜附着力的增加.
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