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微电子应用中化学镀沉积的缺陷控制与工艺控制

工艺控制   缺陷控制   电子应用   化学镀   沉积  

摘要:申请(专利)号:CN200680042540.X:申请日:2006.09.19:公开(公告)号:Cn101506953:公开(公告)日:2009.08.12;申请(专利权)人:恩索恩公司;地址:美国康耐提格西海文市:发明(设计)人:陈青云、查尔斯·巴尔韦德、文森特·派纳卡西奥、尼古拉·彼德罗夫、丹尼尔·斯屈奇,克里斯蒂安·威特,理查德·赫图欠斯。

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