首页 期刊 半导体技术 无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管 【正文】

无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管

作者:岳兰; 董泽刚; 孟繁新 贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室; 贵阳550025; 中国振华集团永光电子有限公司; 贵阳550018
薄膜晶体管   溶液法   介质层厚度   电学稳定性  

摘要:基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响。结果表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm2·V^-1·s^-1,电流开关比高于104),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化。此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)叠加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400~700 nm)的平均透过率(95.0%)高于单层IAZO的平均透过率(93.0%),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力。

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