摘要：近日,台积电(TSMC)推出了7nm深紫外DUV(N7)和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺的性能增强版本。台积电全新N7P工艺采用与N7相同的设计规则,优化了前端(FEOL)和中端(MOL),可在相同功率下将性能提升7%,或者在相同的频率下降低10%的功耗。N5P工艺则可以在相同功率下使芯片的运行速度提高7%,或在相同频率下将功耗降低15%。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社