首页 期刊 真空科学与技术学报 银靶电流及溅射偏压对溅射沉积Cu/Ag薄膜导电性能的影响研究 【正文】

银靶电流及溅射偏压对溅射沉积Cu/Ag薄膜导电性能的影响研究

作者:张丽俊; 田武; 常勇强; 任伟宁; 张长军; 鲍明东 长安大学材料科学与工程学院; 西安710061; 宁波工程学院材料与化学工程学院; 宁波315211; 太原理工大学材料科学与工程学院; 太原030024
磁控溅射   溅射电流   偏压   面电阻  

摘要:磁控溅射技术制备有望作为电接触材料的Cu-Ag薄膜的工艺探索。利用方块电阻仪测试薄膜电阻,借助白光干涉仪和扫描电镜分析不同电流和不同偏压下粗糙度、薄膜厚度、Ag含量及微观结构对薄膜电阻影响规律。结果表明:不同银靶溅射电流下,Ag含量及微观结构为影响薄膜面电阻的主要因素,Ag含量低于18.13%(原子比)时膜中Cu-Ag固溶体相占比增大,这可能是引起薄膜面电阻增大的主要原因,柱状晶的贯穿程度越高电阻越小。不同偏压下,薄膜致密性和粗糙度对面电阻的影响较为明显,薄膜致密性越好,缺陷越少,电阻越小,而致密性相差不大时薄膜表面越光滑面电阻越小。

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