摘要：以联苯四酸二酐和4，4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合（VDP）法制备了聚酰亚胺（PI）绝缘膜，分析不同热亚胺化处理温度对PI薄膜绝缘性能的影响。分别使用红外光谱、俄歇能谱、扫描电镜、原子力显微镜对薄膜成分以及薄膜表面形貌进行了表征；利用超高阻微电流测试仪测试了PI复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性。结果表明：热亚胺化300℃／1h真空（1．0×10-2Pa）处理后的PI绝缘膜内部结构致密，当场强为8．0MV／cm时漏电流密仅为8．2×10—5A／cm2；薄膜击穿场强达到8．42MV／cm，表明PI薄膜具有良好的电学性能以及热稳定性。

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