摘要：本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×10^-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷。完成了AlN的陶瓷金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10^-11Pa·m^3/s。本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求,还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面。

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