首页 期刊 真空电子技术 热扩散阴极微区热电子发射特征研究 【正文】

热扩散阴极微区热电子发射特征研究

作者:任峰; 阴生毅; 卢志鹏; 李阳; 高向阳; 金鹤 中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室; 北京100190; 中国科学院大学; 北京100039
热扩散阴极   光发射电子显微镜   热发射电子显微镜  

摘要:在微米尺度开展热扩散阴极热电子发射特征研究,对了解阴极电子发射过程和理解阴极发射机理有一定的参考价值。本文利用深紫外激光光发射/热发射电子显微镜系统,对浸渍钡钨阴极、覆膜浸渍扩散阴极、浸渍钪酸盐阴极以及新型浸渍钪型阴极,开展了光电子、热电子显微成像分析。结果显示,浸渍钡钨阴极的热电子发射区域主要位于表面局部孔隙中;覆膜浸渍扩散阴极的电子发射区域沿孔隙向覆膜的钨颗粒表面延伸,阴极发射面积明显增加;浸渍钪酸盐阴极与新型浸渍钪型阴极表面拥有一定数量的高发射点,浸渍钪酸盐阴极的高发射点几乎都分布在阴极表面的钨颗粒边缘,而新型浸渍钪型阴极的高发射点不仅存在于钨颗粒边缘,同时也出现在部分钨颗粒表面。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社