真空电子技术杂志 部级期刊

直接覆铜陶瓷板界面及其高温行为研究

作者：张珊珊; 杨会生; 颜鲁春; 庞晓露; 高克玮; 李磊; 李中正 刊期：2016年第05期

本研究利用大电流高密度等离子体溅射沉积技术,在Al2O3和AlN陶瓷板的表面沉积不同的过渡层和铜层,经电镀将真空溅射铜层进行加厚,实现陶瓷基板金属化。通过界面结合强度测试,分析了不同过渡层对界面结合强度的影响;利用SEM、DTA、XRD等研究了直接覆铜陶瓷板截面形貌及在高温退火后的界面行为。结果表明,与无过渡层和AlOx过渡层相比Cr、Ti可大幅...

高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究

作者：张景贤; 段于森; 江东亮; 陈忠明; 刘学建; 黄政仁; 杨建; 李晓云; 丘泰 刊期：2016年第05期

采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片。通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜。进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯。通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76 W/m·K。

系统级封装用陶瓷基板材料研究进展和发展趋势

作者：高岭; 赵东亮 刊期：2016年第05期

系统级封装技术能够将不同类型的元件通过不同的技术混载于同一封装之内,是实现集成微系统封装的重要技术,在航空航天、生命科学等领域中有广阔的应用前景。陶瓷基板材料是系统级封装技术的基础材料之一。本文介绍了系统级封装技术的概念及其特点,分析几种系统级封装用陶瓷基板材料的优缺点,同时指出了陶瓷基板材料的未来发展趋势。

氮化铝陶瓷烧结和显微结构

作者：高陇桥; 何晓梅; 刘征 刊期：2016年第05期

本文从理论上分析,烧结助剂及其显微结构会强烈影响AlN陶瓷的热导率性能。根据鲍林元素的'负电性'概念,计算得出Y2O3,Al2O3和AlN的离子键比例分别为76%,63%和47%。文中认为:在烧结终了时,Y-Al-O二次相会沉积于三叉晶界之中。

AlN陶瓷Mo-Mn法金属化研究

作者：曹昌伟; 冯永宝; 李军 刊期：2016年第05期

BaO-MgO-Y2O3烧结助剂对SiC-AlN复相陶瓷性能的影响

作者：王玉春; 杨群; 李鑫; 李晓云; 冯永宝; 杨建 刊期：2016年第05期

以BaO-MgO-Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结工艺在1850℃制备了SiC-AlN复相陶瓷。研究了不同助剂的含量对复相陶瓷致密性与导热性能的影响。结果表明:适量的烧结助剂能够对SiC-AlN复相陶瓷起到促进烧结作用。烧结助剂含量为6%（质量比）时,样品显气孔率较大;提高助剂含量,样品显气孔率显著降低。复相陶瓷在烧结助剂含量为10%时获得最佳的致密性,其...

原位法制备AlN-TiN复相陶瓷性能的研究

作者：杨群; 王玉春; 李晓云; 冯永宝; 杨建; 丘泰 刊期：2016年第05期

以Y2O3（5%）（质量比）和TiO2为添加剂,采用无压烧结工艺在1900℃、N2气氛下原位法制备了AlN-TiN复相陶瓷,研究了不同TiO2含量对复相陶瓷物相组成、致密性和导热性能的影响。结果表明:1900℃烧成温度下,复相陶瓷主晶相为AlN和TiN,次晶相为Al2O3和YAlO3,TiO2与AlN反应原位生成了TiN。适量的Y2O3-TiO2添加剂能够对AlN-TiN复相陶瓷起到促进烧结的...

BeO-SiC复合衰减材料的制备及其性能

作者：管建波; 韦方明; 曾志彦 刊期：2016年第05期

以氧化铍、碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,在1800~1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合材料。采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能。研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1800~1900℃制备组织致密均匀的BeO-SiC复合材料;采用SiC为原料的BeO-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能。

0.6ZrO2-0.4(Zn1/3Nb2/3)O2-xSnO2-yTiO2微波介质陶瓷的介电性能

作者：祝杭升; 崔志远; 秦中华; 沈春英; 丘泰 刊期：2016年第05期

采用固相法合成了0.6ZrO2-0.4(Zn1/3Nb2/3)O2-xSnO2-yTiO2系列微波介质陶瓷（0.6+0.4+x+y=2）,研究了该体系陶瓷材料组成、微观结构和微波介电性能。实验发现用(Zn1/3Nb2/3)4+来取代ZrO2-TiO2基陶瓷的Zr4+,一方面可以降低陶瓷的烧结温度,加速其致密化进程,还可以提升其介电性能。另一方面,通过Sn4+部分取代Zr4+或Ti4+,既可以抑制ZrO2-TiO2二元系...

Zn取代对0.85MgTiO3-0.15Ca0.6La0.8/3TiO3微波介质陶瓷性能的影响

作者：刘稷; 钟朝位; 陈松; 陶煜 刊期：2016年第05期

采用Zn2+对0.85MgTiO3-0.15Ca0.6La0.8/3TiO3陶瓷进行A位取代,研究了Zn2+取代对其结构与性能的影响规律。实验结果表明:少量Zn2+的取代没有改变陶瓷的物相组成,扫描电子显微镜图显示Zn的取代可以促进陶瓷晶粒生长,使陶瓷的密度变大,介电常数有所提高,但由于在高温下Zn元素的挥发使得体系中生成了更多的A位离子空位,使得该材料损耗变大。谐振频率...

瑞士研发可再生石油替代物新技术取得进展

刊期：2016年第05期

溶液燃烧合成制备钨阴极纳米粉末的研究

作者：陈鹏起; 秦明礼; 赵尚节; 陈峥; 李睿; 曲选辉 刊期：2016年第05期

采用溶液燃烧合成—氢气还原法制备了稀土氧化物掺杂钨阴极纳米粉末。研究了前驱体制备的反应过程及产物形貌、物相。结果表明:所制备的前驱体为W18O49,为短棒与颗粒复合形貌。还原后的稀土氧化物掺杂W粉粒径为30nm左右,且稀土氧化物均匀分布在W粉中。

金属注射成形制备多孔钨阴极基底

作者：李睿; 秦明礼; 陈鹏起; 张怀龙; 赵尚节; 陈峥; 曲选辉 刊期：2016年第05期

采用金属粉末注射成形技术成功制得了尺寸精度高表面质量好以及具有优良孔隙特性的纯钨。利用扫描电镜表征其断口形貌,利用压汞法分析了阴极的孔隙特性。研究表明,经1900℃烧结180min后开孔孔隙率为24.58%,阴极平均孔径在1.91μm。经注射成形制备得到的多孔阴极基底孔隙分布均匀,孔隙连通度好。

大功率速调管用TiO2衰减瓷及其金属化工艺研究

作者：梁田; 邓家成; 杨磊; 林雄文; 邹建军; 刘洋; 刘海楠; 孙自强 刊期：2016年第05期

本文采用热压烧结的工艺方法制备出TiO2衰减瓷,并用Mo-Mn法+电镀Ni的工艺流程对其实现金属化,实现与无氧铜的牢固焊接,并使谐振腔的Q值满足设计要求,已成功应用于某大功率速调管。

高纯氧化铝陶瓷的制备工艺研究

作者：杨磊; 梁田; 刘洋; 任重 刊期：2016年第05期

本文通过对高纯氧化铝陶瓷制备工艺进行研究,对制备的陶瓷件体积密度、气孔率、微观组织进行测试。研究结果表明,通过对粉体制备、压制、烧结工艺进行控制,能够实现高纯氧化铝陶瓷的制备,该陶瓷具有优良的应用性能,有希望应用于小型化行波管。