真空电子技术杂志 部级期刊

一种模拟预失真线性化微波功率放大器

作者：辜文婷 李斌 黄微波 刊期：2008年第05期

研究了一种新的模拟预失真线性化电路，它由2对工作于不同偏置电压下的反向并联肖特基二极管对以及电容、电阻，3dB电桥耦合器（Hybrid）、可变增益放大器组成，通过调节二极管对的偏置电压可分别控制产生IM3和IM5信号的幅度和相位。利用专用的微波电路仿真工具ADS进行仿真验证，仿真结果表明在2GHz频段功率放大器的增益压缩和相位偏移在1dB压缩...

中国建筑材料科学研究院陶瓷科学研究所

刊期：2008年第05期

准太赫兹波段角锥波纹喇叭天线的设计

作者：陈飞 陈鹏 刊期：2008年第05期

波纹喇叭天线是20世纪70年代出现的用于微波天线的一种新型器件，它结构紧凑、加工方便、成本较低。不仅如此，它还是一种高效率的馈源，它的方向图具有低旁瓣、轴对称、交叉极化小等一系列优点，因而得到广泛的应用。文中介绍了准太赫兹角锥波纹喇叭天线的基本设计思想。设计了一种工作在140GHz左右频段的E面波纹角锥喇叭天线。计算机模拟达到...

行波管长周期永磁聚焦系统的研究

作者：李瑶 赵士录 邬显平 李庆绩 刊期：2008年第05期

对长周期永磁聚焦系统中电子注的脉动情况进行了系统的研究。在增大磁系统周期的时候，从理论上讨论了高次谐波，磁场参量和空间电荷参量对电子注脉动的影响，最后利用计算机仿真软件OPERA对电子注在长周期磁聚焦系统中的运动进行了模拟。结果表明，理论推导的结果与计算机模拟值相符，可以利用这种方法进行长周期聚焦系统的模拟和设计。

太赫兹史密斯-珀塞尔辐射源带状电子注阴极的研究

作者：李莉莉 王亦曼 王金淑 王燕春 刘伟 刊期：2008年第05期

为适应太赫兹史密斯一珀塞尔辐射源的迫切需求，研究从阴极表面直接产生微米尺度带状电子注的技术和检测方法，获得电流密度50A／cm^2，600μm× 100 μm的矩形层流电子注。

用残余气体分析仪测量和计算分压强

作者：肖琼 彭晓华 刊期：2008年第05期

残余气体分析仪可以得到真空系统残余气体的质谱图，并给出各个质荷比峰的离子流值，但不能直接测量残余气体中各组分气体的分压强。在考虑到组分气体对某个峰的贡献可以线性叠加的基础上，本文介绍了峰的离子流与分压强、仪器灵敏度、传输几率和丰度之间的关系，从而得到了利用RGA质谱峰的离子流计算残余气体分压的公式。

基于FPGA的色彩空间RGB与HSI的相互转化算法

作者：陈兴锋 刘卫东 乔明胜 黄国鹏 刊期：2008年第05期

以LED背光源液晶电视为应用背景，研究了在FPGA硬件平台上实现两色彩空间RGB、HSI的相互转化的算法及电路。

8mm波导魔T的仿真分析

作者：赵波 李家胤 周翼鸿 刊期：2008年第05期

介绍了一种8mm波导魔T的设计，采用仅在魔T接头处加入匹配元件，设计出了一种结构简单的魔T结构形式，并使用三维仿真软件对其进行仿真计算。仿真结果表明：在32．5～37．5GHz范围内实现了功率等分，端口间的隔离度优于-30dB，回波损耗小于-20dB，等分臂功率差值小于0．1dB，工作带宽大于14％。

微束斑X射线源电子光学系统设计与数值模拟

作者：刘记 范玉锋 刊期：2008年第05期

首先给出了采用场致发射阴极的微束斑X射线源电子光学系统结构，然后利用数值模拟的方法对该系统进行了计算与分析，最终获得了一发射电流约为80μA，束斑半径约为3．2μm的微束斑X射线源电子光学系统优化结构。该结构制作简单、体积小，可供制作微束斑X射线源时选用。

成都虹波实业股份有限公司

刊期：2008年第05期

高阻抗电磁表面及其在真空电子器件中的应用

作者：杨乐 廖复疆 刊期：2008年第05期

近十年来，一种新型的高电磁阻抗表面得到迅速发展。这种高电磁阻抗表面实际上是一种新的电磁结构～—光子带隙晶体结构。在频率禁带，这种结构的表面具有很高的电磁阻抗。利用这种特性，可以构建一种平面型行波管。这种行波管采用曲折线作互作用慢波电路。为了减小电磁波传输损耗，曲折线放置在高电磁阻抗表面上。本文对高电磁阻抗表面的特性和...

分布衰减在耦合腔行波管中的应用

作者：王宏成 刊期：2008年第05期

简要分析了耦合腔行波管带边振荡的原因。应用分布衰减技术可以有效地抑制耦合腔行波管中常见的带边振荡。介绍了分布衰减抑制振荡的机理及在慢波结构中的分布技术。

直流辉光放电中电子分布特性的研究

作者：卢志琼 杨中海 金晓林 刊期：2008年第05期

采用粒子模拟与蒙特卡罗相结合的方法，通过编写三维的直流辉光放电电离的模拟程序，对其中的电子进行了研究，得到了直流辉光放电中电子的相空间分布和电子的能量统计分布等特性。模拟结果很好地解释了直流辉光放电的电离特性。

S波段800kW同轴磁控管的研制

作者：朱程 潘春林 杨金生 刊期：2008年第05期

对S波段同轴磁控管的谐振系统、同轴谐振腔、阻抗变换器的设计进行了分析，重点论述结合国内材料及工艺水平所做的一系列工艺改进，通过这些改进，使得该管研制能顺利完成。

p型GaN基器件的欧姆接触

作者：刘一兵 丁洁 刊期：2008年第05期

宽带隙的GaN具有优良的物理和化学性质，己成为半导体领域研究的热点之一。p型GaN的欧姆接触问题制约了GaN基器件的进一步发展。本文首先介绍了欧姆接触的原理及评价方法，详细讨论了实现良好的p型GaN欧姆接触的主要方法是采取表面处理技术、选择合适的金属电极材料和进行热退火处理，以及研究进展情况。最后指出目前存在的问题并提出今后的研究...