真空电子技术

真空电子技术杂志 部级期刊

Vacuum Electronics

杂志简介:《真空电子技术》杂志经新闻出版总署批准,自1959年创刊,国内刊号为11-2485/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:综述、空间电推进专辑、理论与设计、工艺研究、整管研制

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:北京真空电子技术研究所
国际刊号:1002-8935
国内刊号:11-2485/TN
创刊时间:1959
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.32
复合影响因子:0.25
总发文量:1232
总被引量:2963
H指数:17
引用半衰期:4.0217
立即指数:0.0079
期刊他引率:0.8462
平均引文率:6.4524
  • 氧化铝陶瓷金属化工艺的改进

    作者:刘征; 黄亦工; 陈新辉; 蔡安富; 王洪军; 黄浩 刊期:2006年第04期

    针对影响氧化铝陶瓷活化钼锰法金属化的工艺因素,在配方、原料处理、涂敷方式、烧结等方面进行改进,提高工艺水平,保证质量稳定性、一致性。

  • 金刚石膜在真空电子器件输出窗中的应用

    作者:高陇桥 刊期:2006年第04期

    综述了金刚石膜的性能和制备方法,着重介绍丁国内外常用的封接工艺,讨论了该材料在mm波器件中的应用前景。

  • 真空陶瓷管壳在应用中所出现的若干问题的探究

    作者:周子崴 刊期:2006年第04期

    介绍了实际生产过程中,真空开关管的管壳质量与瓷件和金属化工艺的关系,叙述了控制瓷件的尺寸、釉层白瓷和金属化层质量的重要意义。

  • 纳米YAG/Al2O3复相陶瓷材料性能与微观结构研究

    作者:仝建峰; 陈大明 刊期:2006年第04期

    采用高分子网络凝胶法直接制备YAG纳米粉体,XRD结果表明,所得粉体具纯的YAG相,平均粒径在30nm。通过热压烧结得到了致密YAG/Al2O3烧结体。所得的致密体材料为晶内型和晶间型混合分布。其抗弯强度达498.56MPa,比单相Al2O3陶瓷有大幅度提高。

  • 高纯氧化铝陶瓷材料的焊接性能研究

    作者:张巨先; 荀燕红; 陈丽梅; 鲁燕萍 刊期:2006年第04期

    分别采用Ti—Ag—Cu活性金属法、Mo—Mn高温金属化法及氧化物焊料法对高纯氧化铝陶瓷-金属进行焊接实验。结果发现,高纯氧化铝陶瓷的焊接性能较好,适应性较强,其焊接工艺可以采用目前较为成熟的95%Al2O3陶瓷焊接工艺。

  • 浅谈陶瓷金属化质量的可靠性控制

    作者:董笑瑜; 顾献林; 范爱华; 王娟; 王长芬 刊期:2006年第04期

    简要介绍了影响陶瓷金属化质量的主要因素,并在陶瓷金属化配方、工艺规范确定的前提下,介绍一些在实际生产中经常出现由于工艺条件、材料性能的波动而产生质量问题的可靠性控制的方法。

  • 纳米AIN粉末的制备与烧结

    作者:杜学丽; 秦明礼; 孙伟; 曲选辉 刊期:2006年第04期

    利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100nm的AIN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。实验表明:以合成的AIN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3h。制备出平均晶粒尺寸为4-8μm、密度为3.28g·cm^-3的AIN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4mi...

  • 纳米Ag-Cu-In-Sn合金粉体的分散稳定性研究

    作者:颜秀文; 丘泰; 张振忠; 李晓芸; 李良峰 刊期:2006年第04期

    通过等离子体蒸发凝聚法制备纳米Ag-Cu—In—Sn合金粉,初步研究了聚乙烯吡略烷酮K-30(PVP)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)及其分散工艺对合金粉体分散性能的影响。研究结果表明:随着超声时间的增加,吸光率增大,分散性能变好;与CTAB相比PVP的分散效果更好,其最佳分散浓度为1.8g/L。

  • 平板式固体氧化物燃料电池的封接

    作者:王琦; 韩敏芳; 蒋先锋; 王欢; 高陇桥 刊期:2006年第04期

    甲板式固体氧化物燃料电池(SOFC)是目前发展的主要趋势,其中的封接技术很关键。本文综述了云母复合压缩封接和玻璃/玻璃陶瓷封接在平板式SOFC中应用的技术进展,比较了各种封接方式的优缺点,并指出了其在不同国家、地区的研究现状和发展趋势。

  • 铜应力缓解层对陶瓷-金属连接残余应力的影响

    作者:张小勇; 楚建新; 叶军; 陆艳杰; 刘鑫 刊期:2006年第04期

    用有限元法计算了不同厚度铜片对Si3N4-4Cr10Si2Mo连接四点弯曲试样残余应力的影响,找出最大残余应力位置及数值。测量了不同厚度铜片作缓解层时连接试样强度。计算结果与测量结果一致性较好。当铜片厚度为0.3mm时,连接试样残余应力最小,连接强度最高。

  • 工艺参数对TiO2衰减瓷的影响

    作者:杨德勇; 刘敏玉 刊期:2006年第04期

    通过选择合理的工艺参数可提高TiO2衰减瓷的性能,实验表明通过在一定范围内升高温度、增加TiO2含量和添加高价态氧化物可提高TiO2衰减瓷的衰减量。

  • 高气密性Mo-Cu-Ni瓷封合金

    作者:夏扬; 韩胜利; 崔舜; 宋月清; 林晨光 刊期:2006年第04期

    采用粉末冶金工艺制备了相对密度达99.97%的Mo-Cu—Ni合金,研究了合金的结构、物理性能、力学性能及加工性能。结果表明:经特殊工艺处理后合金气密性极高。合金以Mo为基,Cu,Ni互扩散形成Cu3.8Ni粘结相分布在Mo颗粒边缘,其热膨胀系数与95%Al2O3瓷相近,导电导热性能良好,具有中等强度、较好的延伸率和切削加工性能。用作封接件时合金气...

  • Li2O-ZnO-SiO2系高膨胀微晶封接材料的析晶和重熔结构分析

    作者:王守平; 孙俊才; 刘得利; 赵艳艳; 田东 刊期:2006年第04期

    通过采用XRD、差热分析、SEM等手段对Li2O-ZnO-SiO2系高膨胀微晶材料的析品和重熔进行了结构分析。分析表明,①该材料在不超过800℃析晶时,主晶相为半蜷曲状二硅酸锂和硅酸锌,次晶相为圆柱方石英;②在超过800℃以后,方石英逐步转变成三方石英成为主晶相,次晶相为二硅酸锂和硅酸锌且部分晶体重熔转变成玻璃;③重熔结构的材料整体形貌为不...

  • 氧化锆耐火材料的几个典型应用

    作者:孙再洪 刊期:2006年第04期

    介绍了氧化锆耐火材料对氧化锫原料的要求及其一般性能,着重叙述了氧化锆耐火材料的典型应用。

  • 混合电导陶瓷材料研究进展

    作者:杨志宾; 韩敏芳; 袁燕; 缪文亭; 王启宝 刊期:2006年第04期

    一些氧化物具有良好的离子导电性能和电子导电性能,这种物质被称为混合离子一电子导体,即混合电导材料。此类材料可以是单相材料,也可以是复相材料。通常制成薄膜状或管状,用于固体氧化物燃料电池和氧传感器的电极材料,也可以作为透氧膜材料。文中介绍了混合电导材料的结构、粉料及坯体的制备方法及应用,展望了今后的发展方向。