真空电子技术

真空电子技术杂志 部级期刊

Vacuum Electronics

杂志简介:《真空电子技术》杂志经新闻出版总署批准,自1959年创刊,国内刊号为11-2485/TN,是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份双月刊,致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:综述、空间电推进专辑、理论与设计、工艺研究、整管研制

主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:北京真空电子技术研究所
国际刊号:1002-8935
国内刊号:11-2485/TN
创刊时间:1959
所属类别:电子类
发行周期:双月刊
发行地区:北京
出版语言:中文
预计审稿时间:1个月内
综合影响因子:0.32
复合影响因子:0.25
总发文量:1232
总被引量:2963
H指数:17
引用半衰期:4.0217
立即指数:0.0079
期刊他引率:0.8462
平均引文率:6.4524
  • 大电流场发射冷阴极发射性能的研究

    作者:穆辉; 张晓兵; 雷威; 娄朝刚 刊期:2006年第01期

    研究了利用丝网印刷法制备碳纳米管阴极,以获取很大的发射电流。用传统的二极结构,在真空压强小于5×10^-4Pa的条件下测量了用该方法制备的场发射阴极,阴极形状为直径3mm的圆点。测量结果表明,阴极的最大发射电流达到11mA。

  • 氧化铍陶瓷

    刊期:2006年第01期

    氧化铍陶瓷的应用是多方面的,主要作为高温结构材料,原子能反应堆用材料,以及电子工业用高热导率陶瓷材料等。

  • 新型CNT-FED驱动电路的研究

    作者:王卫中; 陈静; 尹涵春; 张晓兵; 雷威 刊期:2006年第01期

    碳纳米管已经作为电子源广泛应用于场致发射显示器件中。本文讨论了场致发射显示器的工作特性.以及CNTFED对驱动电路的要求。根据脉宽调制(PWM,Pulse Width Modulation)额基本原理,本文提出了新型的灰度实现方式。该方法灰度等级实现方法简单,大大降低了扫描信号的频率要求。

  • FED显示系统的γ校正

    作者:金笑丛; 马晓燕; 张晓兵; 雷威 刊期:2006年第01期

    在视频图像和计算机图形学中,γ校正是一个实现图像尽可能真实地反映原物体或原图像视觉信息的重要过程。在传统的阴极射线管(CRT)中图像信号的再现,由于电子枪的调制特性是非线性的,会出现亮度失真现象。为了克服低灰度级图像偏暗的缺点,大多数图像发送系统均采用预补偿办法,对其发出的图像信号作了预γ校正,从而实现了图像信号与图像亮...

  • 新型前栅极CNT-FED的研究

    作者:储开荣; 狄云松; 陈静; 杨夏喜; 雷威; 张晓兵 刊期:2006年第01期

    传统的前栅极场致发射显示板由于介质层和栅极的制作在生成或制作阴极场致发射源之后,在制造过程中容易破坏场致发射源;另外阴极发射对介质层厚度、阳极电压和调制极开口等参数非常敏感,所以器件的发射均匀性难以保证。为了解决这些问题,引入了类似HOP玻璃的结构。阴极上只需要丝印碳纳米管,无需制作介质层和栅极,解决了场致发射源被破坏...

  • CNT-FED中光刻工艺的研究

    作者:陈静; 杨夏喜; 雷威; 张晓兵 刊期:2006年第01期

    在碳纳米管场致发射显示器件结构中,需要采用光刻的方法制备各种不同的ITO图案和电极图案。本文着重介绍了ITO玻璃的表面处理和光刻过程。实验中采用在紫外曝光条件下,对光刻工艺中影响其刻蚀结果分辨率的各种因素做出了系统分析。这些因素主要包括了对于感光胶的选择,玻璃表面的清洁度,丝网印刷工艺的操作,紫外光曝光时间的控制,酸腐蚀浓...

  • 碳纳米管场致发射显示灰度调制方式的研究

    作者:李晨; 雷威; 张晓兵 刊期:2006年第01期

    碳纳米管的一个重要的应用是在场发射显示器件中作为电子的发射体。本文主要探讨了幅度调制、空间调制、时间调制等几种平板显示中常见的灰度等级实现方式以及其各自的优缺点,尤其针对碳纳米管场致发射显示(CNT-FED)中发射体的缺陷和功耗等问题进行了深入研究。脉宽调制(PWM,Pulse Width Modulation)能够一定程度上保护碳纳米管,降低碳纳...

  • CdS纳米薄膜的水浴法制备与表征

    作者:王建波; 娄朝刚; 张晓兵; 雷威 刊期:2006年第01期

    CdS是一种直接能隙半导体,其带隙约为2.42eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。化学水浴法沉积CdS薄膜具有工艺简单,成本低廉,成膜均匀、致密以及可大面积生产等优点。本文通过对化学水浴法沉积CdS薄膜的研究,阐述了CdS膜的生成和生长过程及其机理,并不断优化此方法中的各种工艺参数,得到了适合做铜铟镓硒薄膜太阳能电池...

  • 增强型彩色FED驱动电路的研究

    作者:陈樟强; 张晓兵; 雷威 刊期:2006年第01期

    探讨了CNT-FED驱动电路的一般性结构,给出了彩色FED驱动系统的硬件实现,并在原有硬件模块的基础上增加色度变换模块,从而使变换后的RGB信号更适合于平板显示,具有色彩增强的效果。

  • 可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制

    作者:冯涛; 戴丽娟; 蒋军; 王曦; 柳裹怀; 李琼 刊期:2006年第01期

    采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备,并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上,自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管,配以简单的驱动电路,实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。

  • 平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

    作者:陈博贤; 刘光诒; 夏善红; 丁耀根; 李宏彦; 杨久霞; 吕永积 刊期:2006年第01期

    在一定的假定条件下,考虑空间电荷影响,平面平行真空微电子(P—VMD)二极管中电流一电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler—Nordheim场发射方程的基础上,通过解简化立方方程,进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变,并工作在典型工...

  • 镍基碳纳米管薄膜场致发射电流的实验测定

    作者:李志; 谭大刚; 李履平; 于桂英 刊期:2006年第01期

    在不同表面宏观电场下对定向生长于镍片上的碳纳米管膜的场致发射电流密度进行了测定,被测样品是在作者提供的纯镍基片上由美国Xintek公司加工,测试条件为:发射窗口直径3mm,平行板电极系统极间的距离0.4~1.0mm,可微调,测试电压0~1000V。在相同实验条件下,多次测量电场强度与发射电流密度的关系及其稳定性。在距离不变及中等工作电压...

  • 钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究

    作者:刘爱青; 元光; 顾长志 刊期:2006年第01期

    利用钛酸钡薄膜替代了金属-氧化物-硅结构冷阴极的氧化物绝缘层,并利用场发射扫描电镜、X射线衍射、EDS分析表征了钛酸钡薄膜。观察到低起始阈值的场发射现象,对可能的场发射机理进行了讨论。

  • 利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

    作者:谭大刚; 罗宏超; 李志 刊期:2006年第01期

    碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定,无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统,其表面电场强度均匀(UId),发射电流密度、总电流与发射面积成正比:对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks,一个与两极距离和球半径之比(d/r)相关的函数,其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=...

  • HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究

    作者:蒋军; 冯涛; 张继华; 戴丽娟; 程新红; 宋朝瑞; 王曦; 柳襄怀; 邹世昌 刊期:2006年第01期

    利用PECVD方法在硅衬底卜生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。