【免费】RF溅射制备Ta2O5薄膜及其电学性能的研究-发表之家

RF溅射制备Ta2O5薄膜及其电学性能的研究

作者：曹莹; 丁文; 毛海平; 周勇薄膜与微细技术教育部重点实验室; 微米/纳米加工技术部级重点实验室; 上海交通大学微纳科学技术研究院; 上海; 200030

高介电常数薄膜 ta2o5 电学性能漏电流随机存储器

摘要：高介电常数薄膜广泛应用于动态随机存储器中.本文主要采用反应溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了在25～100nm厚度范围内薄膜的电学性能.讨论了不同退火时间对Ta2O5薄膜结构和性能的影响,测量了退火后薄膜的漏电流,并计算出其介电常数.

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