首页 期刊 真空电子技术 纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术 【正文】

纳米级CMOS电路的漏电流及其降低技术

作者:朱华平; 戴庆元; 徐健 上海交通大学; 微纳米技术研究院; 上海; 200030
纳米级cmos电路   漏电流组成   功耗   降低技术  

摘要:随着CMOS工艺的进一步发展,漏电流在深亚微米CMOS电路的功耗中变得越来越重要.因此,分析和建模漏电流的各种不同组成部分对降低漏电流功耗非常重要,特别是在低功耗应用中.本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术.

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