摘要：利用脉冲激光沉积法在不同电阻率的n型Si（100）基片上沉积Cu2ZnSnS4薄膜，制备p-Cu2ZnSnS4／n—Si异质结。利用x射线衍射（XRD）、X射线能谱（EDS）和原子力显微镜（AFM）对CuzZnSnS4薄膜的结构、组分和形貌进行表征，并对器件进行I—v测试，讨论不同电阻率的si对异质结器件光电特性的影响。结果表明，器件有良好的整流特性，si电阻率大的器件光电响应比较好，而si电阻率小的器件光伏效应比较明显。

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