首页 期刊 湛江师范学院学报 Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电性质研究 【正文】

Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电性质研究

作者:黄景兴; 邵乐喜; 付玉军 湛江师范学院物理科学与技术学院; 广东湛江524048; 兰州大学物理科学与技术学院; 甘肃兰州730000
cu2znsns4   薄膜   真空蒸镀   硫化  

摘要:利用真空蒸镀法在钠钙玻璃上连续蒸镀Cu/Zn/Sn金属前驱体.在氮气保护下,在550℃对前驱体进行硫化.制备出具有类黝锡矿结构的多晶CZTS薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV—VIS)、霍尔测量仪对样品进行了晶体结构、光学性质和电学性质表征.讨论了样品中预期成份比Cu/(zn+Sn)对CZTS薄膜结构及光电特性的影响.结果表明,当Cu/(Zn+Sn)为0.57时,薄膜具有大于10^4cm^-1光吸收系数、禁带宽度约为1.52eV、较小的电阻率和较高的电子迁移率,适合作为太阳能电池吸收层.

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