首页 期刊 浙江工业大学学报 K-EGICs合成条件对阶结构的影响 【正文】

K-EGICs合成条件对阶结构的影响

作者:陈加藏; 陈丽涛; 曹宏; 马恩宝 浙江工业大学; 化学工程与材料学院; 浙江; 杭州; 310032; 武汉化工学院; 材料科学与工程学院; 湖北; 武汉; 430074
阶结构   合成条件   石墨层间化合物   天然鳞片石墨   xrd分析  

摘要:用混合法分别对天然鳞片石墨和膨胀石墨(expanded graphite,EG)进行碱金属钾插层生成钾石墨层间化合物(potassium-graphite intercalation compounds,K-GICs)和钾膨胀石墨层间化合物(potassium-expanded graphite intercalation compounds,K-EGICs),通过XRD分析发现K-EGICs在氮气环境中明显比K-GICs稳定.改变温度和反应时间,K-EGICs的阶结构没有很明显的变化,但其颗粒度与反应时搅拌速度有关.这是由EG和K-EGICs本身特殊的阶结构如EG(002)面网间距的增大等诸多因素决定的.

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