摘要：实验采用射频磁控溅射技术,在Si（100）衬底上制备了ZnO薄膜。对制备的ZnO薄膜分别在不同温度下（400℃、500℃、650℃、850℃）进行了真空条件下的退火处理,并对退火条件下的ZnO薄膜进行了结构和电学性能的研究。经研究结果表明：通过退火处理后的ZnO薄膜的生长依然是（002）择优取向,当退火温度高于650℃时实现了ZnO由n型到p型的转变。

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