摘要：以4kA单相GIS母线为研究对象，根据发热机理通过建立数学模型分析了该GIS母线的温度场分布；建立有限元模型计算母线的涡流损耗，并将损耗结果间接耦合至温度场与流场。分析结果显示，在单相GIS母线中温度场呈对称分布，最低温度出现于外壳底部，最高温度出现在母线导体顶端，导体正上方位置SF6气体流速最高，导体下方流体流速接近于零。仿真结果与实验室数据的对比验证了计算的准确性。最后，模拟故障情况，分析了不同接触电阻情况下母线外壳温度分布的变化状况，GIS母线温度在线监测提供了参考。

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