摘要：目的研究脑缺血再灌注大鼠应用电针刺激对其学习记忆能力的影响，为临床治疗缺血性脑卒中提供依据。方法采用随机数字表法将SPF级雄性大鼠45只随机分成三组（n=15）：模型组、电针组、假手术组。模型组及电针组制作全脑缺血再灌注损伤模型，电针组进行电针刺激，假手术组除术中不阻断大脑中动脉血流外，其余操作与模型组相同。采用Morris水迷宫对大鼠的学习记忆能力进行评估，记录其不同时间段逃避潜伏期及穿越平台次数；Nissl染色计数残存的CA1、CA3区神经元细胞数目。结果模型组逃避潜伏期明显长于假手术组，穿越平台次数明显多于假手术组，两组比较差异有统计学意义（P〈0．05）；电针组逃避潜伏期较模型组明显缩短，穿越平台次数较模型组明显减少，两组比较差异均有统计学意义（P〈0．05）。与假手术组比较，模型组CA1、CA3区神经元数明显减少（P〈0．05）；与模型组比较，电针组CA1、CA3区神经元数明显增多（P〈0．05）。结论电针刺激能够显著提高脑缺血再灌注动物的学习和记忆能力，推测其发生作用的机制应与电针治疗能够保护脑缺血再灌注大鼠海马的神经作用关系密切。

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