首页 期刊 中国临床神经外科 褪黑素和6-羟褪黑素保护神经细胞抗缺血再灌注损伤比较研究 【正文】

褪黑素和6-羟褪黑素保护神经细胞抗缺血再灌注损伤比较研究

作者:王忠强; 陈忠庆; 唐忠志; 段秋红; 王西明 广州军区武汉总医院急诊科; 湖北武汉430070; 华中科技大学同济医学院生物化学与分子生物学系; 湖北武汉430030
褪黑素   神经元   缺血再灌注   细胞色素c   线粒体跨膜电位  

摘要:目的 研究褪黑素(Mel)和6-羟褪黑素(6-OHMel)神经保护作用及作用机理。方法 体外培养N2a细胞,模拟缺血再灌注(OGSD),加入Mel和6-OHMel,检测以下指标:①细胞生存能力:MTT法、乳酸脱氢酶释放;②细胞凋亡分析:DN断化,细胞色素C,Caspase3活性;③活性氧(ROS)和线粒体跨膜电位。结果 ①Mel和6-OHMel都能减轻OGSD诱导的N2a细胞损伤.Mel的作用强于6-OHMel。②Mel和6-OHMel均能抑制细胞色素C释放,但6-OHMel强于Mel。③Mel和6-OHMel都能稳定线粒体跨膜电位,但Mel作用时间比6-OHMel长。④Mel和6-OHMel能清除ROS,6-OHMel表现为直接作用,Mel表现为间接作用。⑤Mel和6-OHMel均能抑制caspase3的活性,但是作用时间不同。6-OHMel表现在OGSD后12h,Mel在OGSD后24h。结论 Mel和6-OHMel的神经保护作用与其抗氧化、稳定线粒体功能相关,Mel的作用机制更复杂。

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